结晶性层叠结构体，半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明专利技术提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

Crystalline cascade structure, semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
结晶性层叠结构体，半导体装置本申请是申请号为201510144633.4、申请日为2015-3-30、名称为“结晶性层叠结构体，半导体装置”的分案申请。
本专利技术涉及结晶性层叠结构体以及半导体装置。
技术介绍
在被成膜样品上形成结晶性高的氧化镓系薄膜的方法有：使用雾CVD(MistCVD)法等水微粒(waterfineparticles)的成膜方法(专利文献1∶日本专利特开2013-28480号公报)。在该方法中，将乙酰丙酮镓(Galliumacetylacetonate)等镓化合物溶解于盐酸等酸中而制成原料溶液。将该原料溶液微粒化，由此形成原料微粒，将该原料微粒以载气向被成膜样品的成膜面供给，使原料雾(Mist)反应而在成膜面上形成薄膜，由此在被成膜样品上形成结晶性高的氧化镓系薄膜。为了使用氧化镓系薄膜而形成半导体设备，控制氧化镓系薄膜的导电性是必要的。专利文献1及非专利文献1[ElectricalConductiveCorundum-Structuredα-Ga2O3ThinFilmsonSapphirewithTin-DopingGrownbySpray-Assist本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结晶性层叠结构体，其特征在于，具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

【技术特征摘要】
2014.03.31 JP 2014-0727791.一种结晶性层叠结构体，其特征在于，具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。2.如权利要求1中所述的结晶性层叠结构体，其特征在于，所述结晶性氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：人罗俊实，织田真也，
申请(专利权)人：株式会社FLOSFIA，
类型：发明
国别省市：日本,JP