【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管是一种场效应半导体器件，包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极等几个重要组成部分。随着显示技术向高分辨率、大尺寸和高帧率发展，对于薄膜晶体管的驱动能力也有了更高的要求。现有技术尚无方案能够使薄膜晶体管获得更高的开态电流，并且提高薄膜晶体管的充电效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种薄膜晶体管、其制备方法、显示基板及显示装置，所述薄膜晶体管的开态电流高，同时极大降低了栅极的驱动电压。本专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括设置于栅极与半导体层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括金属氧化物层和位于所述金属氧化物层远离栅极一侧、经自组装形成的改性层。例如，所述改性层的材料为硅氮烷或者氯硅烷。例如，所述硅氮烷为六甲基二硅氮烷。例如，所述栅绝缘层还包括附着层，所述附着层位于所述改性层和所述金属氧化物层之间。例如，所述附着层的材料为聚甲基倍半硅氧烷。例如，所述附着层的厚度为10～20纳米，所述改性层的厚度小于10...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于栅极与半导体层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括金属氧化物层和位于所述金属氧化物层远离栅极一侧、经自组装形成的改性层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于栅极与半导体层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括金属氧化物层和位于所述金属氧化物层远离栅极一侧、经自组装形成的改性层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述改性层的材料为硅氮烷或者氯硅烷。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述硅氮烷为六甲基二硅氮烷。4.根据权利要求1～3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层还包括附着层，所述附着层位于所述改性层和所述金属氧化物层之间。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附着层的材料为聚甲基倍半硅氧烷。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附着层的厚度为10～20纳米，所述改性层的厚度小于10纳米。7.根据权利要求1～6任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层的材料的介电常数大于10，且所述金属氧化物层的厚度小于200nm；或者所述金属氧化物层的材料的介电常数为5～10，且所述金属氧化物层的厚度为5～50nm。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛、氧化钛、氧化钽、氧化铈或者氧化钆。9.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板形成栅极；形成栅极绝缘层；形成半导体层；所述半导体层在所述衬底上的正投影在所述栅极在所述衬底上的正投影内；在形成有所述半导体层的衬底基板上形成源极和漏极，得到薄膜晶体管；其特征在于，所述形成栅绝缘层包括：在所述栅极表面形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层远离栅极一侧经自组装形...
【专利技术属性】
技术研发人员：张骥，王会明，陈琳，高锦成，
申请(专利权)人：合肥京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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