具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、无机半导体有源层、源极、漏极和有机半导体有源层构成底栅结构，源极和漏极形成同层源漏电极薄膜层，无机半导体有源层和有机半导体有源层位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机‑有机复合结构有源层。本发明专利技术充分结合无机N型半导体材料丰富、迁移率较高且制备方法相对简单的优势和有机P型半导体材料种类比较多、迁移率较高且稳定性较好的优势，结合底栅顶接触结构的特点，很好地避免了有机薄膜晶体管刻蚀过程造成的损伤，合理地运用在双极型薄膜晶体管器件中，实现了N型和P型输出。

【技术实现步骤摘要】
201610225871

【技术保护点】
一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件，其特征在于：依次由基板（1）、栅极（2）、绝缘层（3）、无机半导体有源层（4）、源极（5）、漏极（6）和有机半导体有源层（7）构成底栅结构，所述无机半导体有源层（4）的厚度为10～50 nm，所述有机半导体有源层（7）的厚度为10～60 nm，所述源极（5）和漏极（6）形成同层源漏电极薄膜层，所述无机半导体有源层（4）和所述有机半导体有源层（7）位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机‑有机复合结构有源层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，傅逸周，蒋雪茵，张志林，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31