提供一种在将高度不同的多个电子部件配置在部件内置基板内的情况下，能够在确保电子部件的选择自由度的同时，在短时间内进行高度调整的需要与否以及高度调整构件的详细设计的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。电子部件内置基板的设计支援装置...

本发明提供一种具有良好的取向性且以锗为主成分的金红石型结构的氧化物结晶。得到一种氧化物结晶，通过在特定条件下使用雾化CVD法在金红石型结构的氧化钛基板上进行氧化锗的成膜，从而含有金红石型结构的氧化物，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶...

本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×10<supgt;18</supgt;/cm<supgt;3</supgt;以上，所述...

本发明提供一种异常晶粒得到降低且具有良好的结晶性的结晶性氧化物膜。得到一种结晶性氧化物膜，将含有锗的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到具有正方晶晶体结构的结晶基板上，接着使所述雾化液滴...

本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层，包括沟道层和漂移层；以及栅电极，经由栅极绝缘膜配置在该沟道层上，在所述沟道层与所述漂移层之间具有电流阻断层，所述半导体装置的特征...

本发明的目的之一是提供一种防止电洞注入栅极绝缘膜的结构。本发明的半导体装置包含栅极绝缘膜、以接触所述栅极绝缘膜的方式配置的电洞阻挡层及以接触所述电洞阻挡层的方式配置的氧化物半导体层，所述电洞阻挡层设置于所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体层...

本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α

提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具...

提供一种半导体装置，该半导体装置具有电场集中于肖特基电极的终端部的倾向，从而具有抑制电场集中的结构。作为本发明的一实施方式，半导体装置具有：半导体层；所述半导体层的侧面的至少一部分所接触的非导电层；以及配置在所述半导体层及所述非导电层上...

提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多...

提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流...

本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n

本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n

本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内...

提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化...

提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所...

一种半导体装置，包含：半导体膜，包含肖特基结区域和欧姆结区域；肖特基电极，配置在所述半导体膜的所述肖特基结区域上；以及欧姆电极，配置在所述欧姆结区域上，所述半导体装置的特征在于，所述半导体膜的肖特基结区域的位错密度比所述半导体膜的欧姆结...

提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作...

一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为3eV以上，场效应迁移率为30cm2/V

制作半导体装置以用作功率器件，该半导体装置至少具有高电阻氧化物膜，电阻为1.0