半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用2018年1月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的名为“SemiconductorDeviceandMethodofManufacturingtheSame(半导体器件及其制造方法)”的韩国专利申请No.10-2018-0000355通过引用的方式全文结合于本申请中。
示例实施例涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及动态随机存取存储器(DRAM)器件及其制造方法。
技术介绍
当制造DRAM器件时，在位线与电容器接触插塞之间可能产生寄生电容。为了减小寄生电容，需要一种在位线与电容器接触插塞之间形成气隙的方法。
技术实现思路
根据示例实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括：第一间隔物，所述第一间隔物与所述位线结构的侧壁直接接触；第二间隔物，所述第二间隔物与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触，所述第二间隔物包括空气；以及第三间隔物，所述第三间隔物与所述第一间隔物的上部直接接触，并且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。

【技术特征摘要】
2018.01.02 KR 10-2018-00003551.一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括：第一间隔物，所述第一间隔物与所述位线结构的侧壁直接接触；第二间隔物，所述第二间隔物与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触，所述第二间隔物包括空气；以及第三间隔物，所述第三间隔物与所述第一间隔物的上部直接接触，并且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：有源图案，所述有源图案在所述衬底上由隔离图案限定；以及栅极结构，所述栅极结构在所述有源图案和所述隔离图案上沿与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸，其中，所述位线结构在所述有源图案、所述隔离图案和所述栅极结构上沿与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向延伸。3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述有源图案、所述隔离图案和所述栅极结构中的凹陷，所述第一间隔物覆盖所述位线结构的在所述凹陷中的部分的侧壁以及所述凹陷的底部。4.根据权利要求3所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述第一间隔物的在所述凹陷中的部分上；以及第二绝缘图案，所述第二绝缘图案位于所述第一绝缘图案上，并且填充所述凹陷的剩余部分。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物和所述第三间隔物分别与所述第二绝缘图案的上表面和所述第一绝缘图案的上表面接触。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物和所述第三间隔物分别包括氧化物和氮化物。7.根据权利要求3所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述位线结构与所述有源图案和所述隔离图案的其上没有凹陷的部分之间的绝缘图案结构。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：所述绝缘图案结构包括依次堆叠的第三绝缘图案、第四绝缘图案和第五绝缘图案，所述第四绝缘图案接触所述第一间隔物的底部，所述第五绝缘图案接触所述位线结构的底部。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第三绝缘图案、所述第四绝缘图案和所述第五绝缘图案分别包括氧化物、氮化物和氧化物。10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在所述凹陷中的所述位线结构的在所述栅极结构上的部分具有从其顶部向底部逐渐减小的宽度。11.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括在所述栅极结构上沿所述第一方向延伸并覆盖所述位线结构和所述间隔物结构的第一覆盖图案。12.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物的上表面沿着所述第二方向具有恒定的高度。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述位线结构包括依次堆叠的导电图案、阻挡图案、金属图案和第二覆盖图案，所述接触插塞结构包括依次堆叠的下接触插塞、金属硅化物图案和上接触插塞，所述金属硅化...

【专利技术属性】
技术研发人员：金真雅，金容宽，朴世根，宋正宇，李柱泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR