半导体互连结构制造技术

本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导线之间，所述硅通孔的侧壁与所述金属导线相交。本公开的半导体互连结构可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接的半导体互连结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体互连结构
本公开涉及集成电路制造
，具体而言，涉及一种用于半导体互连结构的半导体互连结构与半导体互连结构。
技术介绍
在集成电路制造过程中，对多个芯片进行堆叠并建立机械连接和电连接是减小集成电路体积的重要方法。现行的做法通常先对需要堆叠的各芯片制作TSV(ThroughSiliconVias，硅通孔)，然后形成每个TSV的凸点(Micro-Bump)，最后使用片对片或片对晶圆的方式进行定位键合，利用各凸点和TSV实现上层芯片和下层芯片的电连接。首先，在片对片或片对晶圆的键合过程中，效率低导致成本高。另外，需要预先对各芯片制作TSV，并制作凸点，在键合过程中定位失误、连接失误的风险较大，容易导致上下层芯片之间的电连接通路断开，造成良品率下降。因此，需要一种能够克服上述问题的芯片间电连接解决方案。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体互连结构，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的半导体互连结构制造程序复杂、良品率低等问题。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导线之间，所述硅通孔的侧壁与所述金属导线相交。

【技术特征摘要】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导线之间，所述硅通孔的侧壁与所述金属导线相交。2.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述硅通孔的制作过程包括：对所述堆叠结构垂直制作具有第一直径和第一长度的第一盲孔，所述第一盲孔在每层所述晶圆或芯片中的穿透位置位于所述金属导线之间，且所述第一直径小于所述金属导线的间距，所述第一长度小于所述堆叠结构的高度；以所述第一盲孔的中心为中心制作具有第二直径和所述第一长度的第二盲孔，以使所述第二盲孔的侧壁露出所述金属导线的端面，所述第二直径大于所述金属导线之间的间距；填充导电材料于所述第二盲孔。3.如权利要求2所述的半导体互连结构，其特征在于，所述以所述第一盲孔的中心为中心制作具有第二直径和所述第一长度的第二盲孔包括：通过第一湿法蚀刻制程将所述第一盲孔位于每层所述晶圆或芯片衬底中的部分扩宽至所述第二直径；通过第二湿法蚀刻制程将所述第一盲孔位于每层所述晶圆或芯片的布线层中的部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34