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本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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