一种具有限流特性的保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有限流特性的保护电路，包含四个NMOS管，第一NMOS管、第二NMOS管以及第三NMOS管三者的栅极极均直接连接驱动信号输入端，且信号输入端通过变频器连接第四NMOS管的栅极；参考电流源同时连接第一NMOS管的源极以及比较器的正极，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的源极同时连接采样电流接入端，第一NMOS管的漏极、第二NMOS管、第四NMOS管的漏极均接地，第三NMOS管的漏极同时连接第四NMOS管的源极以及比较器的负极。本实用新型专利技术的具有限流特性的保护电路的第一NMOS管作为参考管，其源极与漏极之间的电压为参考电压，第二NMOS管作为开关管，其源极与漏极之间的电压为比较电压，将参考电压与比较电压输入比较器，实现了对开关管最大电流的限制作用。

A Protective Circuit with Current Limiting Characteristics

The utility model discloses a current-limiting protection circuit, which comprises four NMOS transistors, the first NMOS transistor, the second NMOS transistor and the third NMOS transistor. The gate of the driving signal input terminal is directly connected with the gate of the fourth NMOS transistor through a frequency converter, and the reference current source is simultaneously connected with the source of the first NMOS transistor and the positive pole of the comparator, and the second NMOS transistor. The source and the source of the third NMOS transistor are simultaneously connected to the sampling current access terminal. The drain of the first NMOS transistor, the second NMOS transistor and the fourth NMOS transistor are grounded. The drain of the third NMOS transistor is simultaneously connected to the source of the fourth NMOS transistor and the negative pole of the comparator. The first NMOS transistor of the current limiting protection circuit of the utility model acts as a reference transistor, the voltage between the source and the drain is a reference voltage, and the second NMOS transistor acts as a switch transistor. The voltage between the source and the drain is a comparative voltage. The reference voltage and the comparative voltage are input into the comparator, thus limiting the maximum current of the switch transistor.

【技术实现步骤摘要】
一种具有限流特性的保护电路
本技术涉及电路领域，特别是涉及一种具有限流特性的保护电路。
技术介绍
我国面临着能源供应短缺、生态环境污染等严峻挑战，发展电动汽车，倡导“绿色出行”，实现交通能源全面转型，符合能源持续利用战略。在我国政府的大力推动下，电动汽车取得了很大成绩，已被国务院确定为战略性新兴产业之一。充电桩是对电动汽车补充电量的重要工具，其内的DC-DC转换器作为电源管理模块尤其重要，限流电路是DC-DC开关电源管理芯片中的重要模块之一，其性能是DC-DC转换器的关键。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种性能较好的具有限流特性的保护电路。技术方案：为实现上述目的，本技术的具有限流特性的保护电路，包含第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、比较器、驱动信号输入端以及参考电流源；所述第一NMOS管、第二NMOS管以及第三NMOS管三者的栅极极均直接连接所述驱动信号输入端，且信号输入端通过变频器连接第四NMOS管的栅极；参考电流源同时连接第一NMOS管的源极以及比较器的正极，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的源极同时连接采样电流接入端，第一NMOS管的漏极、第二NMOS管、第四NMOS管的漏极均接地，第三NMOS管的漏极同时连接第四NMOS管的源极以及比较器的负极；比较器的输出端连接信号输出端。进一步地，所述参考电流源连接电感线圈后再与所述第一NMOS管的源极以及比较器的正极。进一步地，所述比较器的输出端通过第二变频器连接信号输出端。有益效果：本技术的具有限流特性的保护电路的第一NMOS管作为参考管，其源极与漏极之间的电压为参考电压，第二NMOS管作为开关管，其源极与漏极之间的电压为比较电压，将参考电压与比较电压输入比较器，实现了对开关管最大电流的限制作用，可在低功耗高效率的DC-DC转换器中运用。附图说明附图1为具有限流特性的保护电路的电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术作更进一步的说明。如附图1所示的具有限流特性的保护电路，包含第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、比较器U1、驱动信号输入端1以及参考电流源2；所述第一NMOS管M1、第二NMOS管M2以及第三NMOS管M3三者的栅极极均直接连接所述驱动信号输入端1，且信号输入端1通过变频器INV1连接第四NMOS管M4的栅极；参考电流源2同时连接第一NMOS管M1的源极以及比较器U1的正极，第二NMOS管M2的源极与第三NMOS管M3的源极同时连接采样电流接入端4，第一NMOS管M1的漏极、第二NMOS管M2、第四NMOS管M4的漏极均接地，第三NMOS管M1的漏极同时连接第四NMOS管M4的源极以及比较器U1的负极；比较器U1的输出端连接信号输出端3。所述参考电流源2连接电感线圈L1后再与所述第一NMOS管M1的源极以及比较器U1的正极。所述比较器U1的输出端通过第二变频器INV2连接信号输出端3。运行时，采样电流接入端4连接DC-DC转换器的采样电流，驱动信号输入端1输入的驱动信号为PWM方波，当驱动信号为低电位时，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2以及第三NMOS管M3三者都截止，第四NMOS管M4导通，比较器U1的正极电压大于负极电压，其输出信号为低电平，此时为非限流状态；当驱动信号为高电位时，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2以及第三NMOS管M3三者都导通，第四NMOS管M4截止，第三NMOS管M3起到电压传输作用，此时，比较器U1的正极电压为第一NMOS管的源极与漏极之间的电压，其负极电压为第二NMOS管M2的源极与漏极之间的电压，若流过第二NMOS管M2的电流值超过了规定的限流值，则比较器U1的正极电压小于负极电压，限流电路输出信号为高电平，此时为限流状态。本技术的具有限流特性的保护电路的第一NMOS管作为参考管，其源极与漏极之间的电压为参考电压，第二NMOS管作为开关管，其源极与漏极之间的电压为比较电压，将参考电压与比较电压输入比较器，实现了对开关管最大电流的限制作用，可在低功耗高效率的DC-DC转换器中运用。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有限流特性的保护电路，其特征在于：包含第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、比较器(U1)、驱动信号输入端(1)以及参考电流源(2)；所述第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)以及第三NMOS管(M3)三者的栅极均直接连接所述驱动信号输入端(1)，且驱动信号输入端(1)通过变频器(INV1)连接第四NMOS管(M4)的栅极；参考电流源(2)同时连接第一NMOS管(M1)的源极以及比较器(U1)的正极，第二NMOS管(M2)的源极与第三NMOS管(M3)的源极同时连接采样电流接入端(4)，第一NMOS管(M1)的漏极、第二NMOS管(M2)、第四NMOS管(M4)的漏极均接地，第三NMOS管(M1)的漏极同时连接第四NMOS管(M4)的源极以及比较器(U1)的负极；比较器(U1)的输出端连接信号输出端(3)。

【技术特征摘要】
1.一种具有限流特性的保护电路，其特征在于：包含第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、比较器(U1)、驱动信号输入端(1)以及参考电流源(2)；所述第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)以及第三NMOS管(M3)三者的栅极均直接连接所述驱动信号输入端(1)，且驱动信号输入端(1)通过变频器(INV1)连接第四NMOS管(M4)的栅极；参考电流源(2)同时连接第一NMOS管(M1)的源极以及比较器(U1)的正极，第二NMOS管(M2)的源极与第三NMOS管(M3)的源极同时连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫，
申请(专利权)人：新亚东方电能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33