一种MEMS电可调光衰减器芯片制造技术

一种ＭＥＭＳ电可调光衰减器芯片，其包括上、下电极，其中上、下电极包括硅层和电极层；上、下电极的硅层通过二氧化硅氧化层呈上下连接；在下电极的硅层上腐蚀有一空腔；在上电极的硅层上腐蚀出一悬臂部分，在悬臂部分上的电极层上设置有一反射镜；将悬臂部分的硅层与下电极的硅层之间的二氧化硅氧化层腐蚀掉，形成镂空。本实用新型专利技术采用ＳＯＩ（绝缘层上硅）技术，制作悬臂式电控反射镜，取代氮化硅薄膜空腔作为活动元件。ＳＯＩ材料与氮化硅材料比较有更高的抗疲劳性，增加了器件的可靠性。采用反射镜运动使得光偏出光路达到衰减，取代原Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ干涉仪结构，结构更简单，工艺更容易控制。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电可调光衰减器，特别是一种MEMS电可调光衰减器 芯片，属微电子机械和光通讯器件

技术介绍
可调式光衰减器(Variable Optical Attenuator简称VOA)是现代宽带光 网中的一种核心器件.在波分复用光纤网络(WDM Fiber Optical Networks)中， 用来调整各信道信号的强弱.同时还可以用于模拟光纤长距离传输或检测传输 系统的动态范围.传统的光机械VOA衰减范围宽(>50db)，但体积大、响应时间 长(-l秒)、功率大，所以限制了其应用前景。近年来，有关微机械可调式光 衰减器的报道极多，其中主要利用反射镜的偏转而使反射到输出光纤的光功率 发生改变的居多，这种VOA实现了体积小，但响应时间(毫秒级)还有待于改 善。如据IEEE报道，1998年9月B. Barber等人研制了一种以静电驱动的微机 械光衰减器，其原理是依靠反射镜的位移来实现光衰减，最大缺点是这种结构 限制了它的响应时间。中国专利00127939.4报道一电磁驱动微机可变式光衰 减器，该衰减器采用挡光片和电磁驱动线圈结构，其缺点是响应时间长，达毫 秒级。中国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ电可调光衰减器芯片，其特征在于，包括一上电极和一下电极，其中下电极包括硅层和蒸镀在硅层底表面上的电极层，上电极也包括硅层和蒸镀在硅层上表面上的电极层；所述上、下电极的硅层通过二氧化硅氧化层呈上下连接；在所述下电极的硅层上腐蚀有一空腔；在所述上电极的硅层上腐蚀出一悬臂部分，在所述悬臂部分上的电极层上设置有一反射镜；将所述悬臂部分的硅层与下电极的硅层之间的二氧化硅氧化层腐蚀掉，形成镂空。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王连卫，张晓东，丁树芹，江猛，
申请(专利权)人：华东师范大学，上海永鼎光电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]