用于掩膜的对准图形、掩膜及晶圆制造技术

本发明专利技术涉及一种对准图形，包括设置于对准图形的靠近中间位置的对准标记，对准标记包括：多个对准单元，在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；间隔单元，位于多个对准单元之间以用于将多个对准单元隔开，间隔单元的数量比多个对准单元的数量少一个，并且间隔单元和对准单元在第一方向上的尺寸相同，对准标记具有在第一方向上的第一图案尺寸和在与第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，第一图案尺寸大于第二图案尺寸，对准单元以等线宽等间距的方式布满在对准标记中。根据本发明专利技术设计者能够自行设计有别于曝光机厂商提供的对准图形，改善曝光机的对准，增加了对准图型的多样性以及划片槽的空间使用。本发明专利技术还涉及掩膜以及晶圆。

【技术实现步骤摘要】
用于掩膜的对准图形、掩膜及晶圆
本专利技术涉及半导体光刻工艺的应用，特别涉及用于掩膜的对准图形、掩膜以及晶圆。
技术介绍
在半导体芯片的制造中，随着芯片中承载的集成电路的密度不断增大而且线宽尺寸越来越小，半导体制造中所涉及的工艺的复杂性也加大。光刻工艺是半导体芯片制造工艺中的重要环节。在现如今的光刻工艺中，各曝光机生产厂商在生产曝光机时通常配置有标准的对准图形，并且由专门的感测器来读取这些标准的对准图形，从而在芯片光刻中进行对准。然而，由于现有的对准图形必须符合曝光机厂商所规定的原则并且曝光机厂商仅提供标准的对准信息，因此，现有对准图形的尺寸较大进而使得划片槽空间增大，并且用户不能根据实际情况来选择对准图形且对准精度较低，从而对曝光机的应用造成了很大的障碍。例如，参照附图中的图1，示出了现有技术中的对准图形，其中对准图形长度尺寸b和宽度尺寸a由曝光机厂商在机器出厂时预先设定，并且这些尺寸不能改变，从而限制了对准图形的应用并且会降低对准精度，而且这些对准图形的尺寸通常比较大。因此，需要一种使得对准图形的选择性增加并且对准图形尺寸大大减小从而增加划片槽空间的对准图形。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例希望提供一种能够增加对准图形的选择性以及对准图形大大减小的对准图形，以至少解决现有技术中存在的问题。本专利技术实施例的技术方案是这样实现的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种对准图形，用于晶圆曝光时的对准，其特征在于，所述对准图形包括对准标记，所述对准标记设置于所述对准图形的靠近中间位置，并且所述对准标记包括：多个对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；以及间隔单元，位于多个所述对准单元之间以用于将多个所述对准单元隔开，所述间隔单元的数量比多个所述对准单元的数量少一个，并且所述间隔单元和所述对准单元在所述第一方向上的尺寸相同，其中，所述对准标记具有在所述第一方向上的第一图案尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，所述第一图案尺寸大于所述第二图案尺寸，并且所述对准单元以等线宽和等间距的方式布满在所述对准标记中。在一个具体实施例中，所述对准单元可以包括刻线，所述间隔单元可以包括空隙，或者所述对准单元可以包括空隙并且所述间隔单元可以包括刻线。优选地，所述对准单元的形状可以包括矩形。在一个具体实施例中，所述对准图形还可以包括在所述第一方向上且位于所述对准标记两侧的第一对称留白参数区，所述第一对称留白参数区在所述第一图案尺寸之外，其中所述第一图案尺寸包括固定尺寸，并且所述第一对称留白参数区包括可调尺寸在一个具体实施例中，所述对准图形还可以包括在所述第二方向上且位于所述对准标记两侧的第二对称留白参数区，所述第二对称留白参数区在所述第二图案尺寸之外，所述第二图案尺寸包括固定尺寸或可调尺寸，并且所述第二对称留白参数区包括固定尺寸或可调尺寸。在一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为38至46微米，可以具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为38至46微米，可以具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有62个所述对准单元以及61个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有103个所述对准单元以及102个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸可以均为8/5微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有144个所述对准单元以及143个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有43个所述对准单元以及42个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/5微米。在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。进一步地，所述对准标记在所述第二方向上可以被分割成若干段。进一步地，所述对准标记可以设置成阵列状。本专利技术的另一方面还涉及一种掩膜，在该掩膜上设置有如上所述的对准图形。本专利技术的又一方面涉及一种晶圆，包括通过如上所述的掩膜在所述晶圆上刻划出的所述对准标记的一部分。根据本专利技术，设计者能够自行设计有别于曝光机厂商提供的对准图形，使用后再配合曝光程式使用，从而能够改善曝光机的对准，增加了对准图型的多样性以及划片槽的空间使用(比原先长度相对减少一半)，并且增加了对准精准度的可能性(如现有技术中的设计本来五阶光为最常通用讯号最好光源，但是，经由本专利技术的图形设记，三阶和七阶光亦可能为讯号最好光源，因此在厂商标准对准图形也针对3&7阶设计)上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或单元。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本专利技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本专利技术范围的限制。图1示出了现有技术中的标准对准图形的示意图。图2示出了根据本专利技术一个实施例的对准图形的示意图。图3示出了将图2中所示的对准图形制成为凹槽的示意图。图4示出了将图2中所示的对准图形制成为凸条的示意图。图5示出了将图2中所示的对准图形制成为节段的示意图，其中左侧为立体图，右侧为俯视图。以及图6示出了将图2中所示的对准图形制成为阵列的示意图，其中左侧为立体图，右侧为俯视示意图。附图标号说明：现有技术：a对准图形的宽度尺寸；b对准图形的长度尺寸；本专利技术：100本专利技术的对准图形；110对准标记；111对准单元(刻线)；112间隔单元(空隙)；121第一延伸区域；122第二延伸区域；123第三延伸区域；124第四延伸区域；B第一图案尺寸(对准标记长度)；A第二图案尺寸(对准标记宽度)；X第一方向；Y第二方向；EBX方向上的留白长度；EAY方向上的留白长度；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准图形，用于晶圆曝光时的对准，其特征在于，所述对准图形包括对准标记，所述对准标记设置于所述对准图形的靠近中间位置，并且所述对准标记包括：多个对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；以及间隔单元，位于多个所述对准单元之间以用于将多个所述对准单元隔开，所述间隔单元的数量比多个所述对准单元的数量少一个，并且所述间隔单元和所述对准单元在所述第一方向上的尺寸相同，其中，所述对准标记具有在所述第一方向上的第一图案尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，所述第一图案尺寸大于所述第二图案尺寸，并且所述对准单元以等线宽和等间距的方式布满在所述对准标记中。

【技术特征摘要】
1.一种对准图形，用于晶圆曝光时的对准，其特征在于，所述对准图形包括对准标记，所述对准标记设置于所述对准图形的靠近中间位置，并且所述对准标记包括：多个对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；以及间隔单元，位于多个所述对准单元之间以用于将多个所述对准单元隔开，所述间隔单元的数量比多个所述对准单元的数量少一个，并且所述间隔单元和所述对准单元在所述第一方向上的尺寸相同，其中，所述对准标记具有在所述第一方向上的第一图案尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，所述第一图案尺寸大于所述第二图案尺寸，并且所述对准单元以等线宽和等间距的方式布满在所述对准标记中。2.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准单元包括刻线，所述间隔单元包括空隙，或者所述对准单元包括空隙并且所述间隔单元包括刻线。3.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准图形还包括在所述第一方向上且位于所述对准标记两侧的第一对称留白参数区，所述第一对称留白参数区在所述第一图案尺寸之外，其中所述第一图案尺寸包括固定尺寸，并且所述第一对称留白参数区包括可调尺寸。4.如权利要求3所述的对准图形，其特征在于，所述对准图形还包括在所述第二方向上且位于所述对准标记两侧的第二对称留白参数区，所述第二对称留白参数区在所述第二图案尺寸之外，所述第二图案尺寸包括固定尺寸或可调尺寸，并且所述第二对称留白参数区包括固定尺寸或可调尺寸。5.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准单元的形状包括矩形。6.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为38至46微米，具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/3微米。7.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为38至46微米，具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34