大功率低容二极管的框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，本实用新型专利技术涉及二极管技术领域。该大功率低容二极管的框架结构，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果，通过增加了一个连接片，使得该框架结构具有推广意义，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。

Frame Structure of High Power Low Capacitance Diode

The utility model discloses a frame structure of a high-power low-capacitance diode, including a first frame and a second frame. The first frame and a second frame are arranged in black glue. The first frame and a second frame run through black glue and extend to one end outside black glue, respectively, are provided with a first pin and a second pin. The utility model relates to the technical field of diodes. The frame structure of the high-power low-capacitance diode and the working diode chip add pull-up and pull-down dual-diode structure to realize capacity reduction. The capacitance reduction diode is a fast recovery diode chip with low capacitance. Because of the high-speed characteristics of the fast recovery diode, it can match the working diode chip in response speed, so that it can achieve both high-power and low-capacitance effects. By adding a connecting piece, the frame structure has popularization significance, and the radiator can timely dissipate the heat generated by the operation of the diode, thus increasing the service life of the diode.

【技术实现步骤摘要】
大功率低容二极管的框架结构
本技术涉及二极管
，具体为大功率低容二极管的框架结构。
技术介绍
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器，大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过，反向时阻断。现有的二极管一般都是单芯片结构，性能和功率较低，在一些特定场合中达不到使用要求，且大多二极管容量较高，使用时间长，会导致二极管产生的热量散不出去，影响二极管的使用寿命。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了大功率低容二极管的框架结构，解决了二极管功率低、容量高和二极管产生的量热散不出去的问题。(二)技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，所述第一框架的内部设置有第一压片部，所述第一压片部的底部通过焊料固定连接有工作二极管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架(1)和第二框架(13)，其特征在于：所述第一框架(1)和第二框架(13)均设置于黑胶(11)内，所述第一框架(1)和第二框架(13)贯穿黑胶(11)并延伸至黑胶(11)外部的一端分别设置有第一引脚(5)和第二引脚(15)，所述第一框架(1)的内部设置有第一压片部(6)，所述第一压片部(6)的底部通过焊料(2)固定连接有工作二极管芯片(3)，所述第一压片部(6)的一端连接有过渡部(7)，所述过渡部(7)远离第一压片部(6)的一端连接有第二压片部(8)，所述第二压片部(8)的底部通过焊料(2)焊接有第一降容二极管芯片(12)，所述第一降容二极管芯片(1...

【技术特征摘要】
1.大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架(1)和第二框架(13)，其特征在于：所述第一框架(1)和第二框架(13)均设置于黑胶(11)内，所述第一框架(1)和第二框架(13)贯穿黑胶(11)并延伸至黑胶(11)外部的一端分别设置有第一引脚(5)和第二引脚(15)，所述第一框架(1)的内部设置有第一压片部(6)，所述第一压片部(6)的底部通过焊料(2)固定连接有工作二极管芯片(3)，所述第一压片部(6)的一端连接有过渡部(7)，所述过渡部(7)远离第一压片部(6)的一端连接有第二压片部(8)，所述第二压片部(8)的底部通过焊料(2)焊接有第一降容二极管芯片(12)，所述第一降容二极管芯片(12)的底部通过焊料(2)焊接有第三压片部(9)，所述第三压片部(9)的底部通过焊料(2)固定连接有第二降容二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郏金鹏，程刚，
申请(专利权)人：江苏佑风微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32