大功率低容二极管的框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，本实用新型专利技术涉及二极管技术领域。该大功率低容二极管的框架结构，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果，通过增加了一个连接片，使得该框架结构具有推广意义，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。

Frame Structure of High Power Low Capacitance Diode

The utility model discloses a frame structure of a high-power low-capacitance diode, including a first frame and a second frame. The first frame and a second frame are arranged in black glue. The first frame and a second frame run through black glue and extend to one end outside black glue, respectively, are provided with a first pin and a second pin. The utility model relates to the technical field of diodes. The frame structure of the high-power low-capacitance diode and the working diode chip add pull-up and pull-down dual-diode structure to realize capacity reduction. The capacitance reduction diode is a fast recovery diode chip with low capacitance. Because of the high-speed characteristics of the fast recovery diode, it can match the working diode chip in response speed, so that it can achieve both high-power and low-capacitance effects. By adding a connecting piece, the frame structure has popularization significance, and the radiator can timely dissipate the heat generated by the operation of the diode, thus increasing the service life of the diode.

【技术实现步骤摘要】
大功率低容二极管的框架结构
本技术涉及二极管
，具体为大功率低容二极管的框架结构。
技术介绍
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器，大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过，反向时阻断。现有的二极管一般都是单芯片结构，性能和功率较低，在一些特定场合中达不到使用要求，且大多二极管容量较高，使用时间长，会导致二极管产生的热量散不出去，影响二极管的使用寿命。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了大功率低容二极管的框架结构，解决了二极管功率低、容量高和二极管产生的量热散不出去的问题。(二)技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，所述第一框架的内部设置有第一压片部，所述第一压片部的底部通过焊料固定连接有工作二极管芯片，所述第一压片部的一端连接有过渡部，所述过渡部远离第一压片部的一端连接有第二压片部，所述第二压片部的底部通过焊料焊接有第一降容二极管芯片，所述第一降容二极管芯片的底部通过焊料焊接有第三压片部，所述第三压片部的底部通过焊料固定连接有第二降容二极管芯片，所述工作二极管芯片和第二降容二极管芯片的底部均通过焊料焊接有连接片，所述黑胶的表面设置有散热片，所述散热片的内部设开设有散热孔。优选的，所述工作二极管芯片为普通TVS芯片，所述第一降容二极管芯片和第二降容二极管芯片均为快恢复二极管芯片。优选的，所述第一引脚和第二引脚的材质为铜。优选的，所述黑胶为一种防护壳。优选的，所述第一框架和第二框架的表面均设置有保护膜。(三)有益效果本技术提供了大功率低容二极管的框架结构。具备以下有益效果：(1)、该大功率低容二极管的框架结构，通过所述第一压片部的底部通过焊料固定连接有工作二极管芯片，第一压片部的一端连接有过渡部，过渡部远离第一压片部的一端连接有第二压片部，第二压片部的底部通过焊料焊接有第一降容二极管芯片，第一降容二极管芯片的底部通过焊料焊接有第三压片部，第三压片部的底部通过焊料固定连接有第二降容二极管芯片，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果。(2)、该大功率低容二极管的框架结构，通过工作二极管芯片和第二降容二极管芯片的底部均通过焊料焊接有连接片，黑胶的表面设置有散热片，散热片的内部设开设有散热孔，通过增加了一个连接片，是一种有推广意义的框架结构，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。附图说明图1为本技术整体结构示意图；图2为本技术整体结构俯视图；图3为本技术散热片结构示意图。图中：1第一框架、2焊料、3工作二极管芯片、4连接片、5第一引脚、6第一压片部、7过渡部、8第二压片部、9第三压片部、10散热片、11黑胶、12第一降容二极管芯片、13第二框架、14第二降容二极管芯片、15第二引脚、16散热孔。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架1和第二框架13，第一框架1和第二框架13均设置于黑胶11内，第一框架1和第二框架13贯穿黑胶11并延伸至黑胶11外部的一端分别设置有第一引脚5和第二引脚15，第一框架1的内部设置有第一压片部6，第一压片部6的底部通过焊料2固定连接有工作二极管芯片3，工作二极管芯片3增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，第一压片部6的一端连接有过渡部7，过渡部7远离第一压片部6的一端连接有第二压片部8，第二压片部8的底部通过焊料2焊接有第一降容二极管芯片12，第一降容二极管芯片12的底部通过焊料2焊接有第三压片部9，第三压片部9的底部通过焊料2固定连接有第二降容二极管芯片14，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，在响应速度上应该也能与工作二极管芯片3匹配，工作二极管芯片3和第二降容二极管芯片14的底部均通过焊料2焊接有连接片4，黑胶11的表面设置有散热片10，散热片10的内部设开设有散热孔16，能够及时将二极管工作产生的热量散出去。工作时，通过设置的工作二极管芯片3增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，因第一降容二极管芯片12和第二降容管芯片14均采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片3匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果，通过增加了一个连接片4，使得该框架具有推广意义，且散热片10能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命，且黑胶11是一种防护壳，能够对第一框架1和第二框架13起到保护作用，使得该二极管框架的实用性较强。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下。由语句“包括一个......限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素”。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架(1)和第二框架(13)，其特征在于：所述第一框架(1)和第二框架(13)均设置于黑胶(11)内，所述第一框架(1)和第二框架(13)贯穿黑胶(11)并延伸至黑胶(11)外部的一端分别设置有第一引脚(5)和第二引脚(15)，所述第一框架(1)的内部设置有第一压片部(6)，所述第一压片部(6)的底部通过焊料(2)固定连接有工作二极管芯片(3)，所述第一压片部(6)的一端连接有过渡部(7)，所述过渡部(7)远离第一压片部(6)的一端连接有第二压片部(8)，所述第二压片部(8)的底部通过焊料(2)焊接有第一降容二极管芯片(12)，所述第一降容二极管芯片(12)的底部通过焊料(2)焊接有第三压片部(9)，所述第三压片部(9)的底部通过焊料(2)固定连接有第二降容二极管芯片(14)，所述工作二极管芯片(3)和第二降容二极管芯片(14)的底部均通过焊料(2)焊接有连接片(4)，所述黑胶(11)的表面设置有散热片(10)，所述散热片(10)的内部设开设有散热孔(16)。

【技术特征摘要】
1.大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架(1)和第二框架(13)，其特征在于：所述第一框架(1)和第二框架(13)均设置于黑胶(11)内，所述第一框架(1)和第二框架(13)贯穿黑胶(11)并延伸至黑胶(11)外部的一端分别设置有第一引脚(5)和第二引脚(15)，所述第一框架(1)的内部设置有第一压片部(6)，所述第一压片部(6)的底部通过焊料(2)固定连接有工作二极管芯片(3)，所述第一压片部(6)的一端连接有过渡部(7)，所述过渡部(7)远离第一压片部(6)的一端连接有第二压片部(8)，所述第二压片部(8)的底部通过焊料(2)焊接有第一降容二极管芯片(12)，所述第一降容二极管芯片(12)的底部通过焊料(2)焊接有第三压片部(9)，所述第三压片部(9)的底部通过焊料(2)固定连接有第二降容二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郏金鹏，程刚，
申请(专利权)人：江苏佑风微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32