一种封装组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种封装组件，在所述封装组件中，与封装组件中的第一高压侧驱动电路的端子耦合的任意两个第一高压封装端子之间设置有与封装组件中的第二高压侧驱动电路的端子耦合的至少一个第二高压封装端子，且使得与不同所述高压侧驱动电路的端子耦合的两个高压封装端子之间的第一间距不小于预设值，以确保该两个高压封装端子之间的电气隔离，有利于提高封装组件的各个封装端子的灵活布局以及提高封装组件的可靠性。

A Packaging Component

The utility model provides a package assembly in which at least one second high voltage package terminal coupled with the terminal of the second high voltage side drive circuit in the package assembly is arranged between any two first high voltage package terminals coupled with the terminal of the first high voltage side drive circuit in the package assembly, and the terminals of the different high voltage side drive circuit are made to be coupled with the terminals of the second high voltage side drive circuit in the package assembly. The first distance between the two high-voltage packaging terminals is not less than the preset value to ensure the electrical isolation between the two high-voltage packaging terminals, which is conducive to improving the flexible layout of the packaging terminals and the reliability of the packaging components.

【技术实现步骤摘要】
一种封装组件
本技术涉及半导体封装
，更具体地，涉及一种封装组件。
技术介绍
永磁同步电机(如三相永磁同步电机)由于其自身具有重量轻、体积小、结构简单和功率密度高等一些优点，在日常生活、工农业生产以及国家经济发展中起到了重要的作用。此外，由于永磁材料性能的不断提高和完善，以及电力电子器件的进一步发展，永磁同步电机的应用越来越广泛。永磁同步电机通常采用半桥驱动集成电路进行驱动，例如三相永磁同步电机的半桥驱动集成电路包括三组半桥驱动电路，每一组半桥驱动电路包括一个高压侧晶体管和低压侧晶体管，所述高压侧晶体管和低压侧晶体管相连的节点与所述三相永磁同步电机的其中一相绕组相连，以向该相绕组输出驱动信号。而所述高压侧晶体管自身需要在一个超高的电压(通常为上百伏甚至几百伏的电压)来驱动，因此，永磁同步电机的驱动控制芯片中通常还需要包括与多相永磁同步电机对应的多组高压驱动电路来输出超高的驱动信号驱动对应组的高压侧晶体管。由于不同组所述高压驱动电路的输出端子之间的电压差通常有上百伏以上，那么对于包含电机的驱动控制芯片的封装组件而言，与不同组高压驱动电路耦合的封装端子之间需要确保一定的电气隔离特性，那么在设计这样的封装组件时，所述高压驱动电路耦合的封装端子之间的排布与设置对所述封装组件的可靠性尤为重要。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种新的封装组件，以提高封装组件的封装端子布局的灵活性以及提高封装组件的可靠性。一种封装组件，其特征在于，包括多个高压侧驱动电路和与所述多个高压侧驱动电路耦合的多个高压封装端子，所述多个高压侧驱动电路中的第一高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第一高压封装端子耦合，所述多个高压侧驱动电路中的第二高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第二高压封装端子耦合，其中，所述多个第一高压封装端子中的其中两个第一高压封装端子之间设置有所述多个第二封装端子中的至少一个第二高压封装端子。优选地，分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间的第一间距不小于第一预设值，以确保分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间电气隔离。优选地，所述第一预设值为1mm。优选地，所述封装组件还包括管芯焊盘，所述封装组件的封装端子位于所述管芯焊盘的周围，所述第一高压侧驱动电路和第二高压侧驱动电路位于所述管芯焊盘上。优选地，所述封装组件为QFN封装。优选地，在所述封装组件上电后，分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间的电压不小于第一预设电压，所述第一预设电压设置得越大，所述第一间距也需设置得越大。优选地，分别与同一高压侧驱动电路的两个端子耦合的相邻的两个高压封装端子之间的第二间距小于所述第一间距，且在所述封装组件上电后，分别与同一高压侧驱动电路的两个端子耦合的相邻的两个高压封装端子之间的电压不大于第二预设电压，所述第二预设电压的值小于所述第一预设电压的值。优选地，还包括设置在所述管芯焊盘上的处理电路、时序电路和与所述封装组件的高压侧驱动电路对应设置的低压侧驱动电路，所述封装组件的封装端子还包括与各个所述低压侧驱动电路耦合的低压封装端子，所述处理电路和时序电路控制所述封装组件的各个高压侧驱动电路输出对应的高压驱动信号，以及控制各个所述低压侧驱动电路输出对应的低压驱动信号，各个所述高压驱动信号由所述封装组件的高压封装端子输出到位于所述封装组件外部对应的各个高压侧晶体管的栅极，各个所述低压驱动信号由所述封装组件的低压封装端子输出到位于所述封装组件外部对应的各个低侧晶体管的栅极，各个所述高压侧晶体管与对应的各个所述低压侧晶体管成对耦合在一起，以构成半桥驱动集成电路。优选地，所述半桥驱动集成电路与多绕组电机相连，其中，每一对所述高压侧晶体管和低压侧晶体管相连的节点与所述多绕组电机中的对应的一个绕组相连。优选地，还包括设置在所述管芯焊盘上的PWM控制电路，所述PWM控制电路与所述封装组件中的部分外围电路构成了开关电源，所述开关电源用于给所述封装组件的各个高压侧驱动电路和低压侧驱动电路提供供电电压。优选地，还包括第三高压侧驱动电路和与所述第三高压侧驱动电路耦合的多个第三高压封装端子，所述第一高压侧驱动电路、第二高压侧驱动电路和第三高压侧驱动电路分别通过所述第一高压封装端子、第二高压封装端子和第三高压封装端子输出用于驱动三绕组电机的高压驱动信号。优选地，所述封装组件的各个高压侧驱动电路集成于第一芯片中，所述封装组件的各个低压侧驱动电路、所述处理电路和时序电路集成于第二芯片中，所述第一芯片和第二芯片均设置在所述管芯焊盘上，且所述第一芯片与第二芯片与所述管芯焊盘接触的一面的电位与所述管芯焊盘的电位相同。优选地，所述第一芯片中包括耐压值不低于第三预设电压的DMOS电路，所述第二芯片中包括CMOS电路，但是不包括耐压值高于所述第三预设电压的DMOS电路。优选地，所述第一高压驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第二高压驱动电路包括第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一端子与所述多个第一高压封装端子中的第一个第一高压封装端子耦合，所述第一晶体管的第二端子与所述第二晶体管的第一端子相连，且相连的第一节点与所述多个第一高压封装端子中的第二个第一高压封装端子耦合，所述第二晶体管的第二端子与所述多个第一高压封装端子中的第三个第一高压封装端子耦合，所述第三晶体管的第一端子与所述多个第二高压封装端子中的第一个第一高压封装端子耦合，所述第三晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第一端子相连，且相连的第二节点与所述多个第二高压封装端子中的第二个第二高压封装端子耦合，所述第四晶体管的第二端子与所述多个第二高压封装端子中的第三个第二高压封装端子耦合。优选地，所述第二个第一高压封装端子和所述第二个第二高压封装端子位于所述封装组件的第一区域，所述第一个第一高压封装端子和所述第三个第一高压封装端子位于所述封装组件的第二区域，所述第一个第二高压封装端子和所述第三个第二高压封装端子位于所述封装组件的第三区域，其中，所述第二区域位于所述第一区域和第三区域之间。优选地，所述封装组件的各个高压侧驱动电路的端子与各个高压封装端子之间耦合的路径包括重布线层和金属引线，所述重布线层将所述高压侧驱动电路的各个端子的位置重新排布后，再通过所述金属引线与对应的所述高压封装端子电连接。优选地，所述封装组件的各个高压侧驱动电路的端子与各个高压封装端子之间耦合的路径包括重布线层和金属引线，所述重布线层由所述高压封装端子处延伸至对应的高压侧驱动电路的端子附近后，再通过所述金属引线与对应的高压侧驱动电路的端子电连接。优选地，所述第二个第一高压封装端子通过第一重布线层和第一金属引线与对应的高压封装耦合，所述第二个第二高压封装端子通过第二重布线层和第二金属引线与对应的高压封装耦合。优选地，所述第一重布线层与所述第一节点相连，并通过所述第一金属引线与所述第二个第一高压封装端子相连，所述第二重布线层与所述第二节点相连，并通过所述第二金属引线与所述第二个第二高压封装端子相连。优选地，所述第一金属引线与所述第一节点相连，并通过所述第一重布线层与所述第二个第一高压封装端子相连，所述第二金属引线与所述第二节点相连，并通过所述第二重布线与所述第二个第二高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装组件，其特征在于，包括多个高压侧驱动电路和与所述多个高压侧驱动电路耦合的多个高压封装端子，所述多个高压侧驱动电路中的第一高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第一高压封装端子耦合，所述多个高压侧驱动电路中的第二高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第二高压封装端子耦合，其中，所述多个第一高压封装端子中的其中两个第一高压封装端子之间设置有所述多个第二高压封装端子中的至少一个第二高压封装端子。

【技术特征摘要】
1.一种封装组件，其特征在于，包括多个高压侧驱动电路和与所述多个高压侧驱动电路耦合的多个高压封装端子，所述多个高压侧驱动电路中的第一高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第一高压封装端子耦合，所述多个高压侧驱动电路中的第二高压侧驱动电路与所述多个高压封装端子中的多个第二高压封装端子耦合，其中，所述多个第一高压封装端子中的其中两个第一高压封装端子之间设置有所述多个第二高压封装端子中的至少一个第二高压封装端子。2.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间的第一间距不小于第一预设值，以确保分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间电气隔离。3.根据权利要求2所述的封装组件，其特征在于，所述第一预设值为1mm。4.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，所述封装组件还包括管芯焊盘，所述封装组件的封装端子位于所述管芯焊盘的周围，所述第一高压侧驱动电路和第二高压侧驱动电路位于所述管芯焊盘上。5.根据权利要求4所述的封装组件，其特征在于，所述封装组件为QFN封装。6.根据权利要求2所述的封装组件，其特征在于，在所述封装组件上电后，分别与不同高压侧驱动电路耦合的两个高压封装端子之间的电压不小于第一预设电压，所述第一预设电压设置得越大，所述第一间距也需设置得越大。7.根据权利要求6所述的封装组件，其特征在于，分别与同一高压侧驱动电路的两个端子耦合的相邻的两个高压封装端子之间的第二间距小于所述第一间距，且在所述封装组件上电后，分别与同一高压侧驱动电路的两个端子耦合的相邻的两个高压封装端子之间的电压不大于第二预设电压，所述第二预设电压的值小于所述第一预设电压的值。8.根据权利要求4所述的封装组件，其特征在于，还包括设置在所述管芯焊盘上的处理电路、时序电路和与所述封装组件的高压侧驱动电路对应设置的低压侧驱动电路，所述封装组件的封装端子还包括与各个所述低压侧驱动电路耦合的低压封装端子，所述处理电路和时序电路控制所述封装组件的各个高压侧驱动电路输出对应的高压驱动信号，以及控制各个所述低压侧驱动电路输出对应的低压驱动信号，各个所述高压驱动信号由所述封装组件的高压封装端子输出到位于所述封装组件外部对应的各个高压侧晶体管的栅极，各个所述低压驱动信号由所述封装组件的低压封装端子输出到位于所述封装组件外部对应的各个低侧晶体管的栅极，各个所述高压侧晶体管与对应的各个所述低压侧晶体管成对耦合在一起，以构成半桥驱动集成电路。9.根据权利要求8所述的封装组件，其特征在于，所述半桥驱动集成电路与多绕组电机相连，其中，每一对所述高压侧晶体管和低压侧晶体管相连的节点与所述多绕组电机中的对应的一个绕组相连。10.根据权利要求8所述的封装组件，其特征在于，还包括设置在所述管芯焊盘上的PWM控制电路，所述PWM控制电路与所述封装组件中的部分外围电路构成了开关电源，所述开关电源用于给所述封装组件的各个高压侧驱动电路和低压侧驱动电路提供供电电压。11.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，还包括第三高压侧驱动电路和与所述第三高压侧驱动电路耦合的多个第三高压封装端子，所述第一高压侧驱动电路、第二高压侧驱动电路和第三高压侧驱动电路分别通过所述第一高压封装端子、第二高压封装端子和第三高压封装端子输出用于驱动三绕组电机的高压驱动信号。12.根据权利要求8所述的封装组件，其特征在于，所述封装组件的各个高压侧驱动电路集成于第一芯片中，所述封装组件的各个低压侧驱动电路、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓冬，陈世杰，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33