一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法技术

本发明专利技术所提供的一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，该NAND存储器包括：基底以及堆叠层，其中，堆叠层设置在基底的一侧，包括沟道区、包围沟道区的台阶区以及设置在台阶区远离沟道区的一侧的切割区。并且，本方案中堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，并在台阶区和/或切割区内的至少部分氧化物层设置有预设图形的标记。通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了现有技术中由于参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。

A NAND Memory, Mask and Fabrication Method

The invention provides a NAND memory, a mask plate and a fabrication method. The NAND memory comprises a base and a stacking layer, in which the stacking layer is arranged on one side of the base, including a channel area, a step area surrounding the channel area and a cutting area located on the side far from the channel area. In addition, the stacking layers in this scheme are oxide layers and metal layers stacked at intervals, and at least part of oxide layers in step area and/or cutting area are marked with preset graphics. By setting a marker in NAND memory, the marker can be used as a reference in the SS process of step area. Therefore, the alignment and calibration OVL of the connection CT of gold line and SS of step area take channel area CH as reference, avoiding the phenomenon of low reliability of word lines caused by the inconsistency of reference objects in the existing technology.

【技术实现步骤摘要】
一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法
本专利技术涉及存储器
，更具体地说，涉及一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法。
技术介绍
NAND存储器在制备过程中，需要对每个工艺步骤形成的各层电路图样进行对准校验(OVL、Overlay)，以保证各电路图样的刻蚀准确性。目前，OVL树的建立采用就近原则，即通过测量后道制程实现对前道制程的校准。目前，如图1所示，台阶区SS的校准是以基准值0为参照物，沟道区CH的校准同样也是以基准值0为参照物，器件与金线的连接部分CT的校准以沟道区CH为参照物。其中，器件与金线的连接部分CT与台阶区SS的相对位置又决定了字线WL的可靠性。而专利技术人发现，沟道区CH在制备过程中，可能会由于压力等因素，导致晶片发生弯曲、扩张等形变。进而会导致器件与金线的连接部分CT与台阶区SS之间的位置关系发生变化，影响字线WL的可靠性。因此，如何提供一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，能够提高字线WL的可靠性，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种NAND存储器，包括：基底；堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。可选的，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。可选的，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠。可选的，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影不重叠。可选的，所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。一种掩膜版，用于制作任意一项上述的NAND存储器中的台阶区，所述掩膜版包括：多个子掩膜，所述子掩膜在所述基底上的投影呈所述预设图形。可选的，沿字线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。可选的，沿位线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。一种制作方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成堆叠层，所述堆叠层被划分成沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层；在所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。可选的，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。可选的，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠，且所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，该NAND存储器包括：基底以及堆叠层，其中，堆叠层设置在基底的一侧，包括沟道区、包围沟道区的台阶区以及设置在台阶区远离沟道区的一侧的切割区。并且，本方案中堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，并在台阶区和/或切割区内的至少部分氧化物层设置有预设图形的标记。通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了现有技术中由于参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中校验参照物示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的又一结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器的制作方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，结合图1，现有的NAND存储器在进行OVL校验时，台阶区SS的校准是以基准值0作为参照物，沟道区CH的校准也是以基准值0作为参照物，而器件与金线的连接部分CT的校准以沟道区CH为参照物。又由于沟道区CH在制备过程中，可能会由于压力等因素，导致晶片发生弯曲、扩张等形变，使得器件与金线的连接部分CT的校准会受到沟道区CH的形变的影响，即，金线的连接部分CT的校准的参照物与台阶区SS的校准的参照物不同。而器件与金线的连接部分CT与台阶区SS的相对位置又决定了字线WL的可靠性，因此现有技术在器件与金线的连接部分CT制程时，需要对沟道区CH进行补值，进而提高器件与金线的连接部分CT与台阶区SS的位置精度。而如何实现对台阶区SS的精准测量，以确定出器件与金线的连接部分CT与台阶区SS的补值，是本领域技术人员亟待解决的一大技术难题。基于此，本专利技术实施例提供了一种NAND存储器，如图2所示，包括：基底201、堆叠层202以及标记203。其中，堆叠层202设置在基底201的一侧，包括沟道区2021、包围所述沟道区2021的台阶区2022以及设置在所述台阶区2022远离所述沟道区2021的一侧的切割区2023。具体的，在本实施例中，堆叠层202为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层。在3DNAND存储器件中，堆叠层202的层数决定了垂直方向(垂直于基底201的方向)上的存储单元的个数，堆叠层的层数例如可以为32层、64层等，堆叠层的层数越多，该3DNAND存储器件的集成度越高。堆叠层202的外侧为台阶区2022，该台阶区2022可以为阶梯结构。台阶区2022远离沟道区2021的一侧设置有切割区2023，切割区2023用于实现对存储单元的切割。值得一提的是，在本实施例中，台阶区2022和/或切割区2023内的至少部分氧化物层设置有预设图形的标记203。示意性的，结合图3，在本专利技术实施例中，切割区2023、台阶区2022、沟道区2021、台阶区2022以及切割区2023是沿字线(wordline)方向依次排布的，在字线方向上这五个区域具有基本一致的边界，它们的堆叠层具有相同的层数。其中，金属层可以为W，氧化物层例可以为oxide，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：基底；堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。

【技术特征摘要】
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：基底；堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。2.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。3.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠。4.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影不重叠。5.根据权利要求4所述的NAND存储器，其特征在于，所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。6.一种掩膜版，其特征在于，用于制作如权利要求1-5中任意一项所述的NAND存储器中的台阶区，所述掩膜版包括：多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李思哲，周玉婷，汤召辉，肖莉红，张勇，薛家倩，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42