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本发明所提供的一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，该NAND存储器包括：基底以及堆叠层，其中，堆叠层设置在基底的一侧，包括沟道区、包围沟道区的台阶区以及设置在台阶区远离沟道区的一侧的切割区。并且，本方案中堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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