A manufacturing method of source/drain structure in a semiconductor device includes: forming an interface epitaxial layer on a first semiconductor layer, wherein the first semiconductor layer is arranged on a substrate; forming a second semiconductor layer on the interface epitaxial layer; and forming a conductive layer on the second semiconductor layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置内的源极/漏极结构的制造方法
本揭露是关于一种晶体管及其制造方法，特别是关于一种异质结构或一种半导体堆叠结构及具有硅-锗界面的晶体管装置及其制造方法。
技术介绍
锗具有比硅更高四倍的电荷载子迁移率。因此，锗是使用于具有较小电压的电子装置，此电压是施加来沿着电路驱动电荷载子，换言之，较小的能耗。硅结构上覆锗是广泛用于半导体装置。
技术实现思路
本揭露的一态样揭露一种半导体装置内的源极/漏极结构的制造方法。方法包含形成界面磊晶层在设置于基材上的锗层之上、形成半导体层在界面磊晶层上、以及形成导电层在半导体层上的操作。附图说明根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。图1是绘示根据本揭露一实施例的用于半导体装置的异质结构；图2、图3、图4及图5是绘示形成图1的异质结构的操作；图6是绘示根据本揭露的另一实施例的用于半导体装置的异质结构；图7是绘示根据本揭露的其他实施例的用于半导体装置的异质结构；图8、图9、图10、图11、图12及图...
【技术保护点】
1.一种半导体装置内的源极/漏极结构的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一界面磊晶层在一第一半导体层上，其中该第一半导体层是设置在一基材上；形成一第二半导体层在该界面磊晶层上；以及形成一导电层在该第二半导体层上。
【技术特征摘要】
2017.11.13 US 62/585,232;2018.02.28 US 15/908,1351.一种半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：马汀·克里斯多福·荷兰，布莱戴恩·杜瑞兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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