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一种半导体装置内的源极/漏极结构的制造方法，该制造方法包含：形成一界面磊晶层在一第一半导体层上，其中该第一半导体层是设置在一基材上；形成一第二半导体层在该界面磊晶层上；以及形成一导电层在该第二半导体层上。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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