嵌入式锗硅结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体器件源漏极的嵌入式锗硅结构，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。本发明专利技术能提高器件关断电流Iboff，提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式锗硅结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种嵌入式锗硅结构。本专利技术还涉及一种嵌入式锗硅结构制造方法。
技术介绍
随着集成电路的发展，场效应尺寸越来越小，半导体制造中引入了应力技术来改变沟道中的晶格结构，从而提高沟道中的载流子的迁移率；从现有的研究来看在沟道上施加拉应力能提高电子的迁移率，而施加压应力则能提高空穴的迁移率。SiGe合金材料的研究始于20世纪50年代中期，由于工艺上的原因难以提高材料的品质。随着薄膜生长技术的发展，已能生长出晶格品质优良、电光性能很好的多种SiGe/Si结构。SiGe/Si结构可用多种外延方法生长，近年来的报道主要集中在气体源分子束外延(GSMBE)、固体源分子束外延(SSMBE)、超真空化学气相淀积(UHV/CVD)和快速加热化学气相淀积(RTCVD)等几种方法。SiGe是近年来兴起的新型半导体材料，它有许多独特的物理性质和重要的技术应用价值，由于优异的材料特性，并与硅的微电子技术兼容，被认为是第二代硅材料。锗硅合金与应变硅，使硅材料进入到人工设计和微结构材料的时代，硅器件进入到异质结构、能带工程时代，器件的工作速度已扩展到毫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式锗硅结构，用于半导体器件源漏极，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，其特征在于：两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式锗硅结构，用于半导体器件源漏极，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，其特征在于：两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。2.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽是具有水平开口和水平底壁的纺锤形。3.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽两侧壁向半导体基体形成凸部，所述沟槽底部为水平底壁。4.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽是去除竖直对角线上两个角的菱形。5.如权利要求4所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽竖直对角线上两个角去除的面积不相等。6.如权利要求5所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽竖直方向顶角被去除的面积大于底角被去除的面积。7.如权利要求5所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层形成在沟槽水平方向两个对角内壁和沟槽底壁上。8.如权利要求7所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层形成在两个对角内壁和沟槽底壁上的第一种子层上，以及对角内壁和沟槽底壁之间的半导体基体上。9.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层是不掺杂材料。10.如权利要求9所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层是锗硅(SiGe)。11.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层是掺杂材料。12.如权利要求11所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层是硼原位掺杂的锗硅(SiGeB)。13.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述主体层是硼原位掺杂的锗硅(SiGeB)。14.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述盖帽层是硅(Si)。15.一种嵌入式锗硅结构制造方法，用于锗硅源漏极，包括以下步骤：1)在半导体基体上制造栅极，在栅极上制造掩模层；2)将两栅极之...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜强，黄秋铭，谭俊，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31