晶圆处理设备制造技术

该实用新型专利技术涉及一种晶圆处理设备，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。使用本实用新型专利技术中的晶圆处理设备，可以保证加热温度的精确控制，防止对待加热晶圆加热不充分的问题，提高待加热晶圆的加工通过率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理设备
本技术涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种晶圆处理设备。
技术介绍
在光刻工艺流程中，光阻旋涂之后需要进行软烘(PAB，PhotoresistPrebake)，使光阻组分中的溶剂等挥发。光阻曝光后需要进行曝光后烘(PEB，PostExposureBake)使光阻发生光化学反应才能溶于显影液。现有技术中，使用晶圆处理设备对涂布有光阻的晶圆或半导体器件进行烘烤时，需要使用温度监测模块来监控加热盘的温度。由于加热盘上设置有间隔器，用以隔开晶圆与所述加热盘，使加热盘的温度通过空气传播给所述晶圆，因此加热盘并没有与晶圆直接接触。在加热盘的温度经过空气后传递到晶圆表面时，会存在一定的热量损失，此时温度监测模块监测到的温度与实际传递到晶圆表面的温度存在区别，根据温度监测模块监测到的温度对加热盘的温度进行控制时，很有可能出现实际温度过低的情况，会影响到光刻胶的受热效果，从而影响到晶圆的加工通过率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆处理设备，可以保证加热温度的精确控制，防止对待加热晶圆加热不充分，提高待加热晶圆的加工通过率。为了解决上述技术问题，本技术中提供了一种晶圆处理设备，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，包括至少两个间隔器，且每一间隔器都对应设置有一温度传感器。3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述间隔器具有斜面，且各个间隔器的斜面相对，或朝向各个间隔器的连线所围成的区域，具有一与待加热晶圆的直径相同的圆周经过所述间隔器的斜面上一点。4.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述间隔器呈圆台状，且所述圆台状间隔器内设置有空槽，所述空槽的尺寸与所述温度传感器的尺寸相适应，用于放置所述温度传感器。5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述圆台状间隔器的侧壁设置有从所述侧壁表面贯穿至所述空...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱成云，李明欣，古哲安，黄志凯，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32