晶圆处理设备制造技术

该实用新型专利技术涉及一种晶圆处理设备，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。使用本实用新型专利技术中的晶圆处理设备，可以保证加热温度的精确控制，防止对待加热晶圆加热不充分的问题，提高待加热晶圆的加工通过率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理设备
本技术涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种晶圆处理设备。
技术介绍
在光刻工艺流程中，光阻旋涂之后需要进行软烘(PAB，PhotoresistPrebake)，使光阻组分中的溶剂等挥发。光阻曝光后需要进行曝光后烘(PEB，PostExposureBake)使光阻发生光化学反应才能溶于显影液。现有技术中，使用晶圆处理设备对涂布有光阻的晶圆或半导体器件进行烘烤时，需要使用温度监测模块来监控加热盘的温度。由于加热盘上设置有间隔器，用以隔开晶圆与所述加热盘，使加热盘的温度通过空气传播给所述晶圆，因此加热盘并没有与晶圆直接接触。在加热盘的温度经过空气后传递到晶圆表面时，会存在一定的热量损失，此时温度监测模块监测到的温度与实际传递到晶圆表面的温度存在区别，根据温度监测模块监测到的温度对加热盘的温度进行控制时，很有可能出现实际温度过低的情况，会影响到光刻胶的受热效果，从而影响到晶圆的加工通过率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆处理设备，可以保证加热温度的精确控制，防止对待加热晶圆加热不充分，提高待加热晶圆的加工通过率。为了解决上述技术问题，本技术中提供了一种晶圆处理设备，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。可选的，包括至少两个间隔器，且每一间隔器都对应设置有一温度传感器。可选的，所述间隔器具有斜面，且各个间隔器的斜面相对，或朝向各个间隔器的连线所围成的区域，具有一与待加热晶圆的直径相同的圆周经过所述间隔器的斜面上一点。可选的，所述间隔器呈圆台状，且所述圆台状间隔器内设置有空槽，所述空槽的尺寸与所述温度传感器的尺寸相适应，用于放置所述温度传感器。可选的，所述圆台状间隔器的侧壁设置有从所述侧壁表面贯穿至所述空槽的开口，用于使放置在空槽内的温度传感器能够检测到所述圆台状间隔器外的温度。可选的，各个间隔器之间的距离与待加热晶圆的尺寸相适应，使待加热晶圆能够被卡在各个间隔器之间，并能够保证待加热晶圆与所述加热盘之间的间距。可选的，各个间隔器在所述加热盘表面呈圆弧形排列。可选的，所述加热盘包括加热丝，且加热丝的数目与间隔器的数目相同，每一间隔器对应控制一段加热丝。可选的，还包括支撑引脚，设置于所述加热盘表面，能够相对于所述加热盘表面做沿所述支撑引脚长度方向上的伸缩运动。可选的，所述支撑引脚进行伸缩的最高高度高于所述间隔器的最高高度，所述支撑引脚进行伸缩的最低高度低于待加热晶圆被所述间隔器限位时的高度。本技术中的晶圆处理设备具有安装至所述间隔器的温度传感器，由于间隔器与待加热晶圆直接接触，因此安装至间隔器的温度传感器相较于安装至加热盘上的温度传感器，与待加热晶圆的距离更近，在测量待加热晶圆表面温度时，具有较小的温度测量误差，检测到的温度更接近待加热晶圆的本身温度，可以显著提高温度测量精度。当使用所述晶圆处理设备对晶圆上涂覆的光刻胶进行烘烤时，可以防止出现晶圆上光刻胶受热不充分而导致的光刻胶剥落、关键尺寸的均匀性降低等问题，减少待加热晶圆的返工，降低成本。附图说明图1为本技术的一种具体实施方式中的晶圆处理设备的立体结构示意图。图2为本技术的一种具体实施方式中的间隔器的结构示意图。图3为本技术的一种具体实施方式中待加热晶圆被间隔器的斜面所限位时的示意图。图4为本技术的一种具体实施方式中待加热晶圆被间隔器的顶面所限位时的示意图。图5为本技术的一种具体实施方式中的晶圆处理设备的俯视示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种晶圆处理设备作进一步详细说明。请参阅图1，为本技术的一种具体实施方式中的晶圆处理设备的立体结构示意图。在该具体实施方式中，所述晶圆处理设备包括：加热盘101，用于给待加热晶圆103加热；间隔器102，突出设置于所述加热盘101表面，用于对待加热晶圆103进行限位，使待加热晶圆103与所述加热盘101之间具有间隙；温度传感器201(请参考图2)，安装至所述间隔器102，用于检测所述待加热晶圆103表面的温度。在一种具体实施方式中，所述温度传感器201包括热电阻温度传感器201和热电偶温度传感器201中的至少一种。实际上，可根据需要来设置所述温度传感器201。将所述温度传感器201安装至所述间隔器102，使得所述温度传感器201能够靠近待加热晶圆103，或直接与待加热晶圆103相接触，与待加热晶圆103的距离更近。在检测被所述间隔器102所限位的待加热晶圆103的表面温度时，避免了将温度传感器201设置在所述加热盘101上来检测待加热晶圆103的温度时，待加热晶圆103和加热盘101之间的间隙使从加热盘101传导到待加热晶圆103的热量发生逸散，导致所述温度传感器201检测到的温度与待加热晶圆103实际温度存在差距的问题。将所述温度传感器201安装至所述间隔器102后可以缩短温度传感器210与待加热晶圆103的间距，测量到的温度更接近待加热晶圆103的本身温度，可以显著提高温度测量的准确度。在一种具体实施方式中，将所述温度传感器201安装至靠近所述间隔器102用来限位待加热晶圆103的部位，以进一步缩短所述温度传感器201与被所述间隔器102所限位的待加热晶圆103之间的距离。在一种更优的具体实施方式中，安装在所述间隔器102上的温度传感器201能够直接与所述待加热晶圆103相接触，以获得最高的温度测量准确度。请参阅图2，为本技术的一种具体实施方式中的间隔器的结构示意图。在该具体实施方式中，所述温度传感器201安装于所述间隔器102内部，以近距离地对待加热晶圆103表面的温度进行检测。在一种具体实施方式中，所述加热盘101为圆形加热盘，且所述圆形加热盘的尺寸与待加热晶圆103的尺寸相适应。具体的，圆形加热盘的尺寸应当大于等于所述待加热晶圆103的尺寸，使得所述待加热晶圆103被所述间隔器102限位后，完全放置在所述圆形加热盘的加热范围内，以具有更好的加热效果。实际上，也可设置所述加热盘101为其他形状，只要满足加热盘101的尺寸大于等于所述待加热晶圆103的尺寸即可。在一种具体实施方式中，所述晶圆处理设备包括至少两个间隔器102，且每一间隔器102都对应设置有一温度传感器201。通过设置至少两个间隔器102，以及给每一间隔器102都对应设置一温度传感器201，使得可以通过多个间隔器102对待加热晶圆103的温度进行检测，能够获取到更准确的温度检测结果，且使用任意一个或数个间隔器102对待加热晶圆103进行限位时，都可以获取到较准确的温度值。请参阅图2，所述间隔器102呈圆台状，且所述圆台状间隔器内设置有空槽，所述空槽的尺寸与所述温度传感器201的尺寸相适应，用于放置所述温度传感器201，所述圆台状间隔器的侧壁设置有从所述侧壁表面贯穿至所述空槽的开口202，使放置在空槽内的温度传感器201能够检测到所述圆台状间隔器外的温度，即待加热晶圆103的温度无障碍的传播到所述温度传感器201处。在该具体实施方式中，由于待加热晶圆103由所述圆台状间隔器所限位，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：加热盘，用于给待加热晶圆加热；间隔器，突出设置于所述加热盘表面，用于对待加热晶圆进行限位，使待加热晶圆与所述加热盘之间具有间隙；温度传感器，安装至所述间隔器，用于检测所述待加热晶圆表面的温度。2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，包括至少两个间隔器，且每一间隔器都对应设置有一温度传感器。3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述间隔器具有斜面，且各个间隔器的斜面相对，或朝向各个间隔器的连线所围成的区域，具有一与待加热晶圆的直径相同的圆周经过所述间隔器的斜面上一点。4.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述间隔器呈圆台状，且所述圆台状间隔器内设置有空槽，所述空槽的尺寸与所述温度传感器的尺寸相适应，用于放置所述温度传感器。5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述圆台状间隔器的侧壁设置有从所述侧壁表面贯穿至所述空...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱成云，李明欣，古哲安，黄志凯，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32