半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，该装置包括：工艺腔室，工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；与下腔室相通连接的真空管；与真空管连接的排气管；与排气管连接的抽气泵。本方案利用同等抽力，抽气横截面越小，空气流速越大的原理，实现废弃物的快速有效去除，提高抽气效果；另外，抽气时，上腔室以及下腔室的残留废弃物均会排出，增大了抽气范围；再者，抽气装置直接连接在真空管上，操作简单便捷，且残留废弃物可直接通过排气管排出，不需要占用很多工作区域空间；最后，可减少厂务端真空建设，有效节约工厂运行成本。

Semiconductor Device

The utility model provides a semiconductor device, which comprises a process chamber, which comprises an upper chamber and a lower chamber. After opening the process chamber, the upper chamber and the lower chamber are separated vertically; a vacuum tube connected with the lower chamber; an exhaust pipe connected with the vacuum tube; and an exhaust pump connected with the exhaust pipe. This scheme utilizes the principle of equal pumping force, smaller cross section of air pumping and higher air velocity to realize the rapid and effective removal of waste and improve the effect of air pumping. In addition, during air pumping, the residue in the upper chamber and the lower chamber will be discharged, which enlarges the range of air pumping. Moreover, the air pumping device is directly connected to the vacuum tube, which is simple and convenient to operate and the residue can be directly passed through. The exhaust pipe exhaust does not need to occupy a lot of working space. Finally, it can reduce the vacuum construction at the factory end and effectively save the operation cost of the factory.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种用于半导体集成电路制作过程中工艺腔体打开后的半导体装置。
技术介绍
半导体集成电路的制造工艺多且复杂，通常，在半导体制造工艺中，将反应气体导入工艺腔室且在真空状态下进行预定的处理，工艺腔室例如是用于CVD(化学气相沉积)的膜形成系统、用于处理半导体晶片表面的氧化/扩散系统、或者用于薄膜的干蚀刻系统，等等，这些工艺腔室中进行的处理所用到的化学物质种类繁多，且多数具有毒性、腐蚀性、易燃性或易爆性等特质，且在处理中所用到的部分化学物质具有较低的利用效率，所以在工艺腔室中一般会设置排气系统，排气系统与工艺腔室内部保持真空状态。由于排气系统是在工艺腔室密闭的情况下进行废气排放，所以即使排气系统对工艺腔室进行了排气，在工艺腔室的内壁还是会残留废弃物(气体或悬浮颗粒)，当打开工艺腔室后残留的废弃物弥漫整个工作区域，会导致机台故障报警以及威胁工作人员的健康。为了消除工艺腔室中的残留废弃物，一般在工艺腔室打开后，会在下腔室的上部设置局部抽气管路道，对下腔室进行抽气，如图1及图2所示，当工艺腔室1ˋ打开后，上腔室11ˋ会旋转至下腔室12ˋ的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；与所述下腔室相通连接的真空管；与所述真空管连接的排气管；与所述排气管连接的抽气泵。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；与所述下腔室相通连接的真空管；与所述真空管连接的排气管；与所述排气管连接的抽气泵。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置还包括设置在所述排气管上用于控制所述排气管通断的控制阀。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述控制阀包括手阀和气动阀，其中，所述气动阀的状态通过控制器控制。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述手阀包括球形阀。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置还包括设置在所述排气管上且与所述控制器连接的压力感应器，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34