半导体芯片的封装方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片的封装方法，其包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。本发明专利技术的半导体芯片的封装方法采用超声处理的方式有效去除了结合材料中以及界面间的气泡，不需要高温高压或真空装置，降低设备成本，提高了器件的可靠性，延长了器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的封装方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体芯片的封装方法。
技术介绍
在半导体封装领域中，需要将半导体芯片通过结合材料粘附在对应的框架上，以实现半导体芯片的封装固定。然而，在半导体芯片粘附过程中，在结合材料中以及结合材料的粘合界面上容易产生气泡。气泡的存在，在半导体芯片工作时会受热膨胀，进而对半导体芯片产生一定的压力，影响半导体芯片的性能。因此，需要借助一定的手段去除气泡。现有的手段主要依靠调整粘合材料的组份或者加热的手段。然而，对于调整粘合材料的组份的方式，其成本较高，且仅仅有利于实现粘合材料内部气泡的减少，对于界面间的气泡则无法有效地去除。对于通过加热的方式，设备成本较高。因此，本专利技术的专利技术人亟需构思一种新技术以改善其问题。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种半导体芯片的封装方法，以克服现有技术中存在的不足。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种半导体芯片的封装方法，其包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，所述半导体芯片的封装方法包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，所述半导体芯片的封装方法包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于，所述超声频率与超声处理时间的组合为：超声频率为68-200KHZ，超声处理时间为60-120s。3.根据权利要求2所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨雁，周炳，许新佳，夏凯，赵承杰，
申请(专利权)人：张家港意发功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32