【技术实现步骤摘要】
一种封装方法及封装器件
本申请涉及封装
，特别是涉及一种封装方法及封装器件。
技术介绍
在半导体封装
，其常用的将芯片与基板/框架固定的方法包括：在芯片的金属凸点/金属凸柱上形成锡膏，然后将芯片设置有锡膏的一端置于承载有助焊剂的凹槽内，以使得芯片的金属凸点/金属凸柱上附着有助焊剂；将芯片设置有助焊剂的一端与基板/框架表面接触；将芯片与基板/框架整体进行回流，进而使得芯片与基板/框架表面固定。本申请的专利技术人在长期研究过程中发现，上述过程中需要在芯片的金属凸点/金属凸柱上预制锡膏，预制锡膏的工艺成本和时间成本较高。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种封装方法及封装器件，能够将芯片与基板/框架直接固定，无需在芯片上预制锡膏。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种封装方法，所述封装方法包括：在基板/框架的表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；在所述第一锡膏层背对所述基板/框架一侧形成第二锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；直接通过所述第二锡膏层将所述芯片与所述基板/框架固定。其中，所述在基板/...
【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：在基板/框架的表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；在所述第一锡膏层背对所述基板/框架一侧形成第二锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；直接通过所述第二锡膏层将芯片与所述基板/框架固定。
【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：在基板/框架的表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；在所述第一锡膏层背对所述基板/框架一侧形成第二锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；直接通过所述第二锡膏层将芯片与所述基板/框架固定。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在基板/框架表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层，包括：将第一网板放置于所述基板/框架表面，其中，所述第一网板包括相背设置的第一侧和第二侧，且所述第一网板在其至少中部区域设置有多个贯穿所述第一侧和所述第二侧的第一网孔，所述第一网孔与所述第一区域对应；在所述第一网板的所述第一侧涂覆锡膏，所述锡膏经所述第一网孔落到所述第一区域以形成所述第一锡膏层。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述在所述基板/框架的表面的第一锡膏层上形成第二锡膏层包括：将第二网板放置于所述基板/框架表面，所述第二网板包括相背设置的第三侧和第四侧，且所述第二网板在其至少中部区域设置有多个贯穿所述第三侧和所述第四侧的第二网孔，所述第二网孔与所述第一锡膏层对应；在所述第二网板的所述第三侧上涂覆所述锡膏，所述锡膏经所述第二网孔落到所述基板/框架表面的所述第一锡膏层上以形成所述第二锡膏层。4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述第一网孔与所述第二网孔在所述基板/框架所在平面的投影的中心重合，且所述第一网孔与所述第二网孔的尺寸相同。5.根据权利要求3所述的封...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈海军，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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