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本申请公开了一种封装方法及封装器件，所述封装方法包括：在基板/框架的表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；在所述第一锡膏层背对所述基板/框架一侧形成第二锡膏层，并将所述基板/框架进行回流处理；直接通过所述第二...
该专利属于通富微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通富微电子股份有限公司授权不得商用。

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