一种晶圆键合力的提升方法及增强系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆键合力的提升方法及增强系统，其中，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，键合晶圆达到一预定温度后，经过一预设时间停止微波；步骤S5，冷却键合晶圆；在对少量的键合晶圆进行加热的情况下也不会产生能源的浪费，且不需要过长的预热过程，快速、高效。

A lifting method and strengthening system for wafer bonding force

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合力的提升方法及增强系统
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆键合力的提升方法及增强系统。
技术介绍
在集成电路工艺中，三维集成是一种在保持现有技术节点的同时提高芯片性能的解决方案。通过将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成可提高芯片的性能，同时也可以大幅度缩小功能芯片之间的金属互联的占用空间，同时减少发热、功耗和延迟。在三维集成工艺中，晶圆与晶圆的键合工艺是核心重点，其中晶圆键合力是衡量晶圆键合工艺的核心指标。目前常用的是采用垂直炉管方式加热来提高键合晶圆的键合力强度。但是，垂直炉管的加热过程较为严苛，加热过程需要消耗较多的能源，在垂直炉管处于非满载的状况下，能源消耗量也不会减少。而且，垂直炉管的加热过程需要消耗较长的时间，一般长达6小时左右，在很大程度上限制了该技术的使用场景。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种晶圆键合力的提升方法，其中，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将所述键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使所述微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，所述键合晶圆达到一预定温度后，经过一预设时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合力的提升方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将所述键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使所述微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，所述键合晶圆达到一预定温度后，经过一预设时间停止所述微波；步骤S5，冷却所述键合晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合力的提升方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将所述键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使所述微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，所述键合晶圆达到一预定温度后，经过一预设时间停止所述微波；步骤S5，冷却所述键合晶圆。2.根据权利要求1所述的提升方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用石英晶舟承载置于所述微波发生室中的键合晶圆。3.根据权利要求2所述的提升方法，其特征在于，所述步骤S2中，将所述键合晶圆置于一晶圆传送腔中，并通过一第一机械臂将所述晶圆传送腔中的所述键合晶圆移动至所述石英晶舟中；通过一第二机械臂将所述石英晶舟移动至所述微波发生室中。4.根据权利要求1所述的提升方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述微波发生室产生的微波的频率为2400～2500MHz。5.根据权利要求1所述的提升方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述预设阈值为200～400℃，和/或所述预定温度为200～400℃。6.根据权利要求1所述的提升方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张银，郭万里，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42