一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，该方法包括如下步骤：a.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片‑势垒金属结构；b.对硅片‑势垒金属结构进行第一次热处理；c.在势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片‑势垒金属‑第一金属层结构；d.对硅片‑势垒金属‑第一金属层结构进行第二次热处理；e.在第一金属层上淀积第二金属层。本发明专利技术采用合适的金属薄膜厚度和合金条件，采用在钛镍银前进行金属合金，可避免产品的表观异常；采用两次光刻和两次腐蚀多层金属薄膜的方法，可使金属腐蚀形貌稳定，利于产品可靠性的提高；此工艺与现有的常规工艺兼容，无需专用的设备和引入新的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法
本专利技术涉及正面银表面金属工艺，尤其涉及一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法。
技术介绍
肖特基势垒二极管作为整流器件已经在电源应用领域使用了数十年。相对于PN结二极管而言，肖特基势垒二极管具有正向开启电压低和开关速度快的优点，这使其非常适合应用于开关电源以及高频场合。肖特基势垒二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制造的。沟槽式肖特基，采用沟槽结构产生耗尽层夹断导电通道的原理，其高频特性和电性性能明显优于平面肖特基。当前主要采用以下方法制造沟槽式肖特基正面银表面金属结构：第一种，利用liftoff工艺，进行三次光刻，再在其光刻胶的表面进行蒸发或溅射金属，采用贴膜揭膜的方法将光刻胶上的金属剥离，其工艺成本高，需要专用的光刻胶，兼有揭膜剥离金属时易出现金属残留等问题；第二种，在金属表面，进行一次光刻，然后刻蚀其金属，其刻蚀的形貌不稳定，易出现过刻蚀和金属残留的现象。在沟槽式肖特基正面银表面金属结构的实际制造中出现以下问题：1、因沟槽的存在，以及各金属薄膜间的应力作用，圆片翘曲度过大，加工难度大；2、复合金属膜腐蚀难度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片‑势垒金属结构；b.对所述硅片‑势垒金属结构进行第一次热处理；c.在所述势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片‑势垒金属‑第一金属层结构；d.对所述硅片‑势垒金属‑第一金属层结构进行第二次热处理；e.在所述第一金属层上淀积第二金属层，形成硅片‑势垒金属‑第一金属层‑第二金属层结构。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片-势垒金属结构；b.对所述硅片-势垒金属结构进行第一次热处理；c.在所述势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层结构；d.对所述硅片-势垒金属-第一金属层结构进行第二次热处理；e.在所述第一金属层上淀积第二金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层-第二金属层结构。2.根据权利要求1所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：所述势垒金属层为钛金属，所述第一金属层为铝、铝硅合金、铝硅铜合金中的任一种或任意组合，所述第二金属层由下至上依次为钛镍银金属。3.根据权利要求2所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：所述势垒金属层厚度为所述第一金属层厚度为所述钛镍银金属厚度分别为4.根据权利要求1至3任一项所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓芳，王彦君，孙晨光，徐长坡，王万礼，张新玲，刘丽媛，董子旭，杜宏强，刘闯，张晋英，刘文彬，乔智，印小松，张娇，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12