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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆键合力的提升方法及增强系统，其中，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，键合晶...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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