硅片的制备方法及装置制造方法及图纸

一种硅片的制备方法及装置，所述方法包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。本发明专利技术方案可以提高硅片的品质、降低生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
硅片的制备方法及装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅片的制备方法及装置。
技术介绍
在现有工艺中，通常利用直拉法或者区熔法得到硅单晶锭，然后对所述硅单晶锭进行线切割、磨削、抛光、清洗等工艺，以获得硅片。然而在生长晶体的过程中，由于空位的聚集会形成空洞型微缺陷，即晶体原声粒子缺陷，容易降低MOS器件栅氧化层的完整性(GateOxideIntegrity，GOI)，此外容易在化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)工艺过程中导致硅片表面的雾度(Haze)值较高。在现有技术中，通常采用外延(Epitaxy，EPI)层工艺在所述硅片的表面生长一层相同晶向的外延膜，以减少所述空洞型微缺陷以及减小硅片表面的雾度值，然而EPI工艺额外增加了大量工艺步骤，降低生产效率且严重增加成本。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种硅片的制备方法及装置，可以提高硅片的品质、降低生产成本，提高生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种硅片的制备方法，包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片的制备方法，其特征在于，包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的制备方法，其特征在于，包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。2.根据权利要求1所述的硅片的制备方法，其特征在于，所述第一步退火和第二步退火是在退火设备中进行的，在第一步退火之前，还包括：向所述退火设备内通入惰性气体以形成惰性气氛，并对所述退火设备进行升温至所述起始温度；对所述退火设备进行气氛处理，以从所述惰性气氛转变为所述还原性气体的等离子态气氛。3.根据权利要求1所述的硅片的制备方法，其特征在于，在所述第二步退火之后，还包括：对所述硅片进行第三步退火，在所述第三步退火过程中，退火温度从所述第一预设温度下降至第二预设温度。4.根据权利要求3所述的硅片的制备方法，其特征在于，所述第二预设温度为400℃至700℃。5.根据权利要求3所述的硅片的制备方法，其特征在于，所述第一步退火、第二步退火和第三步退火是在退火设备中进行的，在进行所述第二步退火和进行所述第三步退火之间，还包括：向所述退火设备内通入惰性气体，并排出所述退火设备内的所述等离子体，以形成惰性气氛。6.根据权利要求1所述的硅片的制备方法，其特征在于，所述第一步退火和第二步退火是在退火设备中进行的，所述还原性气体的等离子态气氛的形成步骤包括：基于所述还原性气体产生等离子体，然后向所述退火设备内通入惰性气体以...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫浩，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，熊建锋，刘强，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32