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一种硅片的制备方法及装置，所述方法包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温...
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