一种半导体存储器的阵列结构制造技术

技术编号:21005799 阅读:75 留言:0更新日期:2019-04-30 21:57
本发明专利技术提供一种半导体存储器的阵列结构,具有纵向和横向两个互相垂直的方向,在复数个阵列排布的有源区中,每个有源区具有相同的外轮廓。奇数行的有源区与横向以相同的第一倾角等间距排布,并在纵向上依次对齐。偶数行的有源区与横向以相同的第二倾角等间距排布,并在纵向上依次对齐;第一倾角与第二倾角相对于横向分别形成有顺逆时钟不同方向的锐角旋转角度。复数个字线为平行于纵向的直线形且沿横向等间距排列。复数个位线位线为平行于横向的波浪线形且沿纵向等间距排列。字线将有源区分隔出位线接触区与节点接触区,位线与有源区的交汇处位于位线接触区上。本发明专利技术可在有限阵列面积上直接制作节点接触焊垫,有利于降低成本、提高器件性能。

An Array Structure of Semiconductor Memory

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器的阵列结构
本专利技术涉及集成电路
,特别是涉及一种半导体存储器的阵列结构。
技术介绍
动态随机存储器(DRAM)是一种常用的半导体存储器件。由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括一个电容器和一个晶体管;晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连;字线上的电压信息号能够控制晶体管的打开或关闭,进而通过位线读取在电容器中的数据信息,或者通过位线将数据信息写入电容器中进行存储。数据以电荷形式存放在电容器之中,一般以无电荷代表“0”,有电荷代表“1”,反之亦可。通常为了缩小器件尺寸,会在阵列排布的有源区区域设置纵横交错的字线和位线,并设置多个节点接触以连接每个存储单元的存储电容。这种多层次的立体结构需要字线图案、位线图案、节点接触与有源区之间的精确对准,对制作工艺有较高的要求。为了进一步降低成本,提高存储容量,字线间距和存储器阵列的隔离结构不断缩小,导致接触窗体积跟着减少,进而大幅增加了接触窗阻值。专利公开号为CN105789179A的一篇专利文献公开了一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法,其中的存储器有源区制造方法,包括在基板上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器的阵列结构,其特征在于,所述阵列结构具有纵向和横向两个互相垂直的方向,所述阵列结构包括:一半导体衬底,包含复数个阵列排布的有源区,每个所述有源区具有相同的外轮廓,奇数行的所述有源区以相对于所述横向的第一倾角等间距排布,并在所述纵向上依次对齐,偶数行的所述有源区以相对于所述横向的第二倾角等间距排布,并在所述纵向上依次对齐,所述有源区的行间距相等,相邻两行中的有源区的排列间距也相等,所述第一倾角与所述第二倾角相对于所述横向分别形成有顺逆时钟不同方向的锐角旋转角度;复数个字线,设置于所述半导体衬底中,所述字线具有平行于所述纵向的直线形,且所述字线沿所述横向等间距排列;及,复数个位...

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的阵列结构,其特征在于,所述阵列结构具有纵向和横向两个互相垂直的方向,所述阵列结构包括:一半导体衬底,包含复数个阵列排布的有源区,每个所述有源区具有相同的外轮廓,奇数行的所述有源区以相对于所述横向的第一倾角等间距排布,并在所述纵向上依次对齐,偶数行的所述有源区以相对于所述横向的第二倾角等间距排布,并在所述纵向上依次对齐,所述有源区的行间距相等,相邻两行中的有源区的排列间距也相等,所述第一倾角与所述第二倾角相对于所述横向分别形成有顺逆时钟不同方向的锐角旋转角度;复数个字线,设置于所述半导体衬底中,所述字线具有平行于所述纵向的直线形,且所述字线沿所述横向等间距排列;及,复数个位线,设置于所述半导体衬底上,所述位线具有沿着所述横向延伸的波浪线形,且所述位线相互平行并沿所述纵向等间距排列;其中,依据所述字线的分隔,所述有源区分隔出位线接触区与节点接触区,所述位线与所述有源区的交汇处位于所述位线接触区上。2.根据权利要求1所述的半导体存储器的阵列结构,其特征在于:每个所述有源区与两根所述字线交汇,所述位线接触区位于所述有源区在两根所述字线之间的中间区段,所述节点接触区位于所述有源区在两根所述字线之外的端部区段。3.根据权利要求1所述的半导体存储器的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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