静电放电保护设备制造技术

各个实施例涉及静电放电(ESD)保护设备，其包括具有端的双极结型晶体管(BJT)、具有端的场效应晶体管(FET)，以及连接到重组区域的共基极区域。所述BJT和所述FET彼此集成，并且包括由所述BJT和所述FET共用的公共区域。所述BJT和所述FET响应于所述端中的一个或多个端处的过量但可容忍的非ESD电压变化而通过使所述共基极区域的电位跟随所述BJT的所述端之一的电位来共同地偏置所述共基极区域并且防止所述BJT的触发。

Electrostatic Discharge Protection Equipment

Each embodiment relates to an electrostatic discharge (ESD) protection device, which includes a bipolar junction transistor (BJT) with an end, a field effect transistor (FET) with an end, and a common base region connected to a recombination region. The BJT and the FET are integrated with each other and include a common area shared by the BJT and the FET. The BJT and the FET collectively bias the common base region and prevent the BJT from triggering by making the potential of the common base region follow the potential of one of the terminals of the BJT in response to excessive but tolerable non-ESD voltage changes at one or more terminals of the end.

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护设备
各个实施例的各方面涉及一种静电放电(ESD)保护设备。
技术介绍
ESD保护设备可以用于对设备提供保护以免受ESD事件的影响。诸如ESD事件等瞬变可能会导致超过设备的电压处理能力，这可能会导致损坏设备电路系统。ESD保护装置可以用于在ESD事件期间将电流分流到接地。各种ESD保护装置可以是单向的或双向的。单向装置针对过量正电压或过量负电压提供ESD保护，但是不能同时为这两者提供ESD保护。双向ESD保护装置可以对与ESD事件相关的正电压和负电压这两者提供保护。与许多集成电路系统设计一样，ESD保护电路系统的可用电路面积(也称为不动产)通常是成问题的。当ESD保护意图针对的核心操作电路的电气规范是复杂的或非常庞大时，这尤其如此。在限制电路面积可用性的这些和其它情况下，有时基于电路面积的可用性而不是ESD保护电路系统可能提供的ESD保护的稳健性来选择用于提供ESD保护的电路类型。对于低风险承受的核心操作电路系统，通常不能选择牺牲ESD保护的稳健性。对于各种应用，这些和其它问题对ESD保护实施的效率提出了挑战。
技术实现思路
各种示例性实施例涉及诸如上面提到的那些和/或其它问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电放电(ESD)保护设备，其特征在于，其包括：双极结型晶体管(BJT)，其具有包括发射极、基极以及集电极的端；场效应晶体管(FET)，其具有包括栅极、源极以及漏极的端；以及共基极区域，其连接到重组区域，其中所述BJT和所述FET彼此集成并且包括由所述BJT和所述FET共用的公共区域，并且共同地被配置和布置成响应于所述端中的一个或多个端处的过量但可容忍的非ESD电压变化而通过使所述共基极区域的电位跟随所述BJT的所述端之一的电位来偏置所述共基极区域并且防止所述BJT的触发。

【技术特征摘要】
2017.10.13 US 15/783,2321.一种静电放电(ESD)保护设备，其特征在于，其包括：双极结型晶体管(BJT)，其具有包括发射极、基极以及集电极的端；场效应晶体管(FET)，其具有包括栅极、源极以及漏极的端；以及共基极区域，其连接到重组区域，其中所述BJT和所述FET彼此集成并且包括由所述BJT和所述FET共用的公共区域，并且共同地被配置和布置成响应于所述端中的一个或多个端处的过量但可容忍的非ESD电压变化而通过使所述共基极区域的电位跟随所述BJT的所述端之一的电位来偏置所述共基极区域并且防止所述BJT的触发。2.根据权利要求1所述的ESD保护设备，其特征在于，所述公共区域是由所述BJT和所述FET中的每一个共用的端，并且所述BJT的所述基极形成所述共基极区域的一部分，并且其中所述过量但可容忍的非ESD电压变化超过用于电路操作的典型电压，并且小于针对所述BJT激活进行ESD保护设定的ESD触发电压。3.根据权利要求1所述的ESD保护设备，其特征在于，其进一步包括横向BJT，所述横向BJT具有包括发射极、基极以及集电极的端，其中所述横向BJT与所述BJT和所述FET共用所述公共区域，并且其中所述重组区域与所述BJT的所述端之一相邻。4.根据权利要求3所述的ESD保护设备，其特征在于，所述共基极区域包括所述BJT的基极区域和所述横向BJT的基极区域。5.根据权利要求1所述的ESD保护设备，其特征在于，其进一步包括：横向BJT，其具有包括发射极、基极以及集电极的端，以及与所述横向BJT相邻的P和N区域，所述P和N区域被配置和布置成在所述P区域与所述N区域之间的结处形成重组区域，其中所述横向BJT的所述端之一是由所述BJT、所述FET以及所述横向BJT共同地共用的所述公共区域，而所述横向BJT的所述端中的另一个端与和所述横向BJT相邻的所述P和N区域之一接触。6.根据权利要求1所述的ESD保护设备，其特征在于，所述FET的所述栅极连接到接地和输入/输出端之一，所述输入/输出端被配置和布置成接收与过量但可允许的非ESD电压变化对应的输入/输出电压。7.根据权利要求1所述的ESD保护设备，其特征在于，所述ESD保护设备进一步包括：具有包括栅极、源极以及漏极的端的另一个FET，其中所述BJT和所述另一个FET彼此集成并且包括由所...

【专利技术属性】
技术研发人员：简·克拉斯，斯蒂芬·约翰·斯奎，马尔腾·雅各布斯·斯万内堡，赖大伟，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL