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静电放电保护设备制造技术
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文档序号:20946363
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各个实施例涉及静电放电(ESD)保护设备,其包括具有端的双极结型晶体管(BJT)、具有端的场效应晶体管(FET),以及连接到重组区域的共基极区域。所述BJT和所述FET彼此集成,并且包括由所述BJT和所述FET共用的公共区域。所述BJT和所...
该专利属于恩智浦有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦有限公司授权不得商用。
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