射频切换装置以及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种射频切换装置以及其制作方法。该射频切换装置包括绝缘层、半导体层、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、外延层、第一硅化物层以及第二硅化物层。半导体层设置于绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。第一掺杂区与第二掺杂区设置于半导体层中且分别位于栅极结构的相对的两侧。外延层设置于第一掺杂区上。第一硅化物层设置于外延层上。第二硅化物层设置于第二掺杂区中。

【技术实现步骤摘要】
射频切换装置以及其制作方法
本专利技术涉及一种射频切换装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有硅化物层的射频切换装置以及其制作方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，集成电路中的元件尺寸不断地微缩以提升芯片效能。然而，随着元件的密度增加，许多电性特征对于元件操作表现上的影响变得更明显，对于微缩化产生阻碍。举例来说，在射频切换装置(radiofrequencyswitchdevice)中，导通电阻(Ron)与关断电容(Coff)是很重要的指标，导通电阻会影响信号于导通状态下通过切换装置时的损耗比率，而关断电容则会影响信号于关闭状态下的泄漏比率。射频切换装置的关断电容会受到射频切换装置的结构设计以及材料性质影响，而射频切换装置中的部件会因微缩化而导致边缘电容以及寄生电容增加，进而使得关断电容无法有效地降低以符合射频切换装置操作上的规格要求。
技术实现思路
本专利技术提供了一种射频切换装置以及其制作方法，利用于外延层上形成第一硅化物层，并于掺杂区中形成第二硅化物层，由此拉大第一硅化物层与第二硅化物层之间的距离，达到降低第一硅化物层与第二硅化物层之间的电容效应以及降低射频切换装置的关断电容的效果。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频切换装置，包括：绝缘层；半导体层，设置于该绝缘层上；栅极结构，设置于该半导体层上；第一掺杂区以及一第二掺杂区，设置于该半导体层中且分别位于该栅极结构的相对的两侧；外延层，设置于该第一掺杂区上；第一硅化物层，设置于该外延层上；以及第二硅化物层，设置于该第二掺杂区中。

【技术特征摘要】
1.一种射频切换装置，包括：绝缘层；半导体层，设置于该绝缘层上；栅极结构，设置于该半导体层上；第一掺杂区以及一第二掺杂区，设置于该半导体层中且分别位于该栅极结构的相对的两侧；外延层，设置于该第一掺杂区上；第一硅化物层，设置于该外延层上；以及第二硅化物层，设置于该第二掺杂区中。2.如权利要求1所述的射频切换装置，其中该第一掺杂区为一源极掺杂区，而该第二掺杂区为一漏极掺杂区。3.如权利要求1所述的射频切换装置，其中该第一硅化物层的上表面于该绝缘层的厚度方向上高于该第二硅化物层的上表面。4.如权利要求3所述的射频切换装置，其中该第一硅化物层的底表面于该绝缘层的该厚度方向上高于该半导体层的上表面。5.如权利要求1所述的射频切换装置，其中该第一硅化物层的底表面于该绝缘层的厚度方向上高于该第二硅化物层的上表面。6.如权利要求1所述的射频切换装置，其中该半导体层的上表面于该绝缘层的厚度方向上高于该第二硅化物层的上表面。7.如权利要求1所述的射频切换装置，还包括：第一层间介电层，设置于该栅极结构、该半导体层以及该第一硅化物层上；以及第一连接结构，设置于该第一层间介电层中与该第一硅化物层上，且该第一连接结构与该第一硅化物层电连接。8.如权利要求7所述的射频切换装置，其中该第二掺杂区的一部分设置于该第一层间介电层与该第二硅化物层之间。9.如权利要求7所述的射频切换装置，还包括：第二层间介电层，设置于该半导体层之下；以及第二连接结构，设置于该第二层间介电层中，且该第二连接结构与该第二硅化物层电连接。10.如权利要求9所述的射频切换装置，其中该绝缘层包括一开口与该第二硅化物层对应设置，且该第二连接结构的一部分设置于该开口中。11.一种射频切换装置的制作方法，包括：提供一半导体层形成于一绝缘层上；在该半导体层上形成一栅极结构；在该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：何万迅，邢溯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71