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本发明公开一种射频切换装置以及其制作方法。该射频切换装置包括绝缘层、半导体层、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、外延层、第一硅化物层以及第二硅化物层。半导体层设置于绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。第一掺杂区与第二掺杂区设置于半导体层中且...
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