晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆刻蚀系统，包括：所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。本发明专利技术还公开了一种晶圆刻蚀方法。本发明专利技术基于膜层厚度变化调节晶圆关键尺寸，在APC系统管控下进行定量调节刻蚀机刻蚀程式参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定性，改善刻蚀晶圆的面内均匀性，避免因刻蚀关键尺寸的漂移造成最终电性参数和良率的损失。

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种晶圆刻蚀系统。本专利技术还涉及一种晶圆刻蚀方法。
技术介绍
刻蚀工艺是集成电路制造过程中最关键的工艺之一，其主要作用是完成光刻工艺中的图形在硅片上的最终转移与定型，因此刻蚀工艺的稳定性和均匀性决定了最终刻蚀图形的结构和线宽，进而直接影响到产品的电学性能和良率。为了精确地控制刻蚀不同介质薄膜，单大马士革工艺现今采用终点监测方式(EPD)来检测薄膜的刻蚀完成程度，通过收集在等离子体刻蚀过程中不同介质层的化学变化产生的发射光谱曲线(OpticalEmissionSpectrograph,简称OES)来判定等离子体刻蚀介质的程度。由于化学机械研磨工艺后膜质厚度profile的不均匀，接下来的镀膜工艺也会对膜层厚度均匀性产生影响，这两者叠加使得膜质的厚度均匀性较差。而干法刻蚀工艺的特点之一就是，在刻蚀程式固定以后，面内刻蚀厚度的差异较小，这意味着单大马士革刻蚀工艺采用EPD这种方法时，一些膜质较薄的区域会先被刻开，抓到EPD信号，而部分膜质较厚的区域此时还未刻开，如果此时刻蚀结束将造成铜线与CT的连接断开，最终产生Mbistf本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：测量装置、刻蚀机和APC系统；所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：测量装置、刻蚀机和APC系统；所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。2.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：所述测量装置是Nova量测机。3.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：当刻蚀机收到终点监测信号则所述主刻蚀完成。4.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：所述晶圆膜层厚度是晶圆最外圈的膜层厚度。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：梁梦诗，聂钰节，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31