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晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法技术方案
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文档序号:21005721
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本发明公开了一种晶圆刻蚀系统,包括:所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统,所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀,所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统,所述APC系统根据...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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