A manufacturing method of a semiconductor element includes etching a semiconductor substrate to form a groove extending from the top surface of the semiconductor substrate to the semiconductor substrate. The first liner is formed on the side wall and bottom of the groove. The groove is filled with dielectric material after the first liner is deposited. The dielectric material and the first cushion layer comprise substantially the same metal-containing ternary dielectric material. Remove the excessive portion of the dielectric material and the first liner above the top surface of the semiconductor substrate.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法
本揭露是关于一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术中的进展，已经存在对高储存容量、快速处理系统、高效能、及低成本的不断增长的需求。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体元件的尺寸，这些半导体元件诸如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)、及finFET，并且亦增加集成电路(IC)上的这些半导体元件的封装密度以适应IC上的更大数量的半导体元件。此缩小已增加IC中半导体元件的处理及制造的复杂性。
技术实现思路
一种半导体元件的制造方法，包含蚀刻半导体基板以形成从半导体基板的顶表面延伸到半导体基板中的沟槽；在沟槽的侧壁及底部上沉积第一衬垫层；在沉积第一衬垫层之后用介电材料填充沟槽，其中介电材料及第一衬垫层包含实质上相同的含金属三元介电材料；以及移除介电材料及第一衬垫层在半导体基板的该顶表面上方的过量部分。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。图1A至图1F是根据本揭示的一些实施例的各个阶...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：蚀刻一半导体基板以形成从该半导体基板的一顶表面延伸到该半导体基板中的一沟槽；在该沟槽的侧壁及一底部上沉积一第一衬垫层；在沉积该第一衬垫层之后用一介电材料填充该沟槽，其中该介电材料及该第一衬垫层包含实质上相同的一含金属三元介电材料；以及移除该介电材料及该第一衬垫层在该半导体基板的该顶表面上方的过量部分。
【技术特征摘要】
2017.09.29 US 62/565,629;2018.08.02 US 16/053,6561.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：蚀刻一半导体基板以形成从该半...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭羽筠，林耕竹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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