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一种半导体元件的制造方法包括蚀刻半导体基板以形成从半导体基板的顶表面延伸到半导体基板中的沟槽。第一衬垫层在沟槽的侧壁及底部上形成。沟槽在沉积第一衬垫层之后填充有介电材料。介电材料及第一衬垫层包括实质上相同的含金属三元介电材料。移除介电材料及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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