The invention discloses a method for obtaining omnidirectional wafer defects. The scanning electron microscopy SEM is used to analyze the defects of the wafer. The scanning electron microscopy SEM has several electronic receivers installed in the chamber, which are evenly distributed around the wafer, so as to take a 360 degree panoramic picture of the defects of the wafer. The plurality of electronic receivers can be opened at the same time to take panoramic photos of the wafer to analyze defects. According to the requirements, the defect photos of a particular position or angle of the wafer can be obtained by opening or closing one or more electronic receivers at a certain angle. It can effectively judge the origin of defects from wafer defect photos, significantly improve the accuracy of engineer's judgment of the origin of defects, and improve work efficiency.
【技术实现步骤摘要】
全方位晶圆缺陷的获取方法
本专利技术涉及半导体器件制造及测试领域，特别是指一种全方位晶圆缺陷的获取方法。
技术介绍
扫描电子显微镜(SEM：ScanningElectronMicroscope)是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观呈像。扫描电子显微镜的优点是，①有较高的放大倍数，20～20万倍之间连续可调；②有很大的景深、视野大、成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构；③试样制备简单。目前的扫描电子显微镜都配有X射线能谱仪装置，这样可以同时进行显微组织形貌的观察和微区成分分析，因此它是当今十分有用的科学研究仪器。它的工作原理是依据电子与物质的相互作用，具体来讲，利用聚焦的极细的高能电子束在晶圆上扫描，而激发出二次电子和背散射电子等多样的物理信息。电子接收器对这些信息进行接收，后续在相关后台对接收的信息进行放大和呈像。由于SEM机台原先只安装3个电子接收器，其中较多电子信号从四周散发出去，扫描式电子显微镜机台一次拍摄只能拍摄三张照片，分别为正视图，左视图及右试图，主要利用二次电子(二次电子是...
【技术保护点】
1.一种全方位晶圆缺陷的获取方法，是利用扫描电子显微镜SEM，针对晶圆的缺陷分析，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，其腔室内部安装有多个电子接收机，均匀分布在晶圆四周，以此来拍摄360度全景的晶圆缺陷照片。
【技术特征摘要】
1.一种全方位晶圆缺陷的获取方法，是利用扫描电子显微镜SEM，针对晶圆的缺陷分析，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，其腔室内部安装有多个电子接收机，均匀分布在晶圆四周，以此来拍摄360度全景的晶圆缺陷照片。2.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的电子接收机，数量不少于8个，每隔45度或更小角度安装一个电子接收机，形成一个圆周排布。3.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的电子接收机，用于接收从晶圆四周发散出去的二次电子，电子接收机能更高效地利用二次电子、背散射电子和俄歇电子信号，使各种次级电子被充分利用。4.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，在晶圆上方安装的多个电子接收机，能同时全部开启以拍摄晶圆的全景照片以分析缺陷，还能根据要求，通过开启或关闭某一角度的某一台或多台电子接...
【专利技术属性】
技术研发人员：茆青，韩超，龙吟，陈宏璘，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。