检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。

Methods of inspecting semiconductor substrates and manufacturing semiconductor devices

A method for inspecting a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor device are provided. The method for inspecting a semiconductor substrate includes the following steps: measuring the light intensity reflected on a rotating semiconductor substrate; analyzing the frequency distribution of the measured light intensity; and determining the state of the semiconductor substrate by using the frequency distribution. The steps of analyzing the frequency distribution of the measured light intensity include extracting multiple frequency components corresponding to multiple frequencies from the measured light intensity.

【技术实现步骤摘要】
检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法本申请要求于2017年9月28日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0126349号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及检查半导体基底的方法以及使用该检查方法来制造半导体装置的方法，更具体地，涉及检查旋转的半导体基底的状态的方法以及使用该检查方法来制造半导体装置的方法。
技术介绍
为了处理半导体基底，可以将半导体基底固定到位于室中的基底支架(例如，基座)。在这种情况下，半导体基底会以未对准的状态被固定到基底支架或者被固定的半导体基底会在处理工艺期间相对于基底支架移动。因此，会以不期望的方式处理半导体基底，或者在半导体基底的处理期间会使半导体基底发生不期望的温度梯度，从而导致半导体基底损坏。因此，越来越需要检查半导体基底的状态(例如，未对准、倾斜和翘曲)。
技术实现思路
公开的实施例提供了在不使用附加光源的情况下实时确定旋转的半导体基底的状态的方法。专利技术构思的多个方面不应受到上面的描述的限制，并且通过这里描述的示例实施例，本领域的普通技术人员将清楚地理解其它未提及的方面。根据一个方面，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检查半导体基底的方法，所述方法包括：在半导体基底旋转的同时测量半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及基于频率分布来确定半导体基底的状态，其中，分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。

【技术特征摘要】
2017.09.28 KR 10-2017-01263491.一种检查半导体基底的方法，所述方法包括：在半导体基底旋转的同时测量半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及基于频率分布来确定半导体基底的状态，其中，分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。2.根据权利要求1所述的方法，其中，分析测量的光强度的频率分布的步骤包括：从测量的光强度提取对应于0Hz的频率的直流分量、对应于第一频率的第一频率分量和对应于第二频率的第二频率分量，所述第二频率是第一频率的两倍。3.根据权利要求2所述的方法，其中，半导体基底包括沉积在半导体基底上的至少一个膜，其中，确定半导体基底的状态的步骤包括通过使用直流分量来确定所述至少一个膜的沉积厚度。4.根据权利要求2所述的方法，其中，第一频率等于半导体基底旋转的频率。5.根据权利要求4所述的方法，其中，半导体基底位于基座上，所述基座被构造为容纳半导体基底并使半导体基底旋转，其中，确定半导体基底的状态的步骤包括通过使用第一频率分量来确定半导体基底与基座的未对准。6.根据权利要求4所述的方法，其中，半导体基底位于基座上，所述基座能够容纳半导体基底并使半导体基底旋转，其中，确定半导体基底的状态的步骤包括通过使用第一频率分量来确定半导体基底相对于基座的倾斜。7.根据权利要求4所述的方法，其中，确定半导体基底的状态的步骤包括通过使用第二频率分量来确定半导体基底的翘曲。8.根据权利要求4所述的方法，其中，半导体基底位于基座上，所述基座能够承受半导体基底，并且至少一个凹凸图案形成在半导体基底上，其中，通过使用光强度的频率分布来确定半导体基底的状态的步骤包括通过使用直流分量和第二频率分量来确定所述至少一个凹凸图案的关键尺寸。9.根据权利要求1所述的方法，其中，分析测量的光强度的频率分布的步骤包括对测量的光强度的频率分布进行归一化。10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过对预定时间间隔执行傅里叶变换来执行分析测量的光强度的频率分布的步骤。11.一种检查半导体基底的方法，所述方法包括：在半导体基底旋转的同时测量半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：金延泰，金度亨，梁光贤，李昌润，崔宁旭，朴基寿，崔殷硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR