【技术实现步骤摘要】
电子集成电路芯片
本申请涉及电子集成电路芯片领域。
技术介绍
电子集成电路芯片常规上包括在半导体晶圆被切块之前被形成在半导体晶圆中的一个或多个电子部件，并且在一个面上包括一个或多个接触金属化(例如焊盘)，该接触金属化期望被焊接到集成电路芯片外侧的外部器件，例如印刷电路板或另一集成电路芯片。在某些应用中，需要可以被直接使用而无需封装的集成电路芯片，特别地是二极管，更特别地是保护二极管，其中集成电路芯片的侧向面或侧部被涂覆有电气绝缘层。以这种方式对集成电路芯片进行侧向绝缘使得尤其可以当进行焊接时防止焊料向集成电路芯片的侧部(侧面)的潜在蠕动，这可能导致在集成电路芯片的衬底与电极之间形成短路。图1是由虚线界定并且由半导体晶圆3(例如硅晶圆)的上表面形成的二极管1的截面视图。在这个阶段，二极管1与晶圆3是一体的。二极管1由位于半导体晶圆3的p掺杂区域7内的n掺杂阱5所形成。阱5例如由区域7的上表面形成并且在区域7的上表面处形成。接触区域9、接触区域11分别被形成在阱5和区域7中。区域9是n掺杂的并且具有高于n掺杂阱的掺杂水平的n+掺杂水平。区域11是p掺杂的并且具有高于区...
【技术保护点】
1.一种电子集成电路芯片，其特征在于，所述电子集成电路芯片包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。
【技术特征摘要】
2017.07.13 FR 17566781.一种电子集成电路芯片，其特征在于，所述电子集成电路芯片包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·罗维瑞，M·布夫尼彻尔，E·拉孔德，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR
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