半导体器件制造技术

本发明专利技术的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及半导体集成电路，并且更特别地涉及包括负电容场效应晶体管(NCFET)的半导体器件。
技术介绍
亚阈值摆幅是晶体管的电流-电压特性的一个特征。在亚阈值区域中，漏极电流的性能类似于正向偏压二极管的指数型增长的电流。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)运行区域中，在漏极、源极和基极(bulk)电压均固定的条件下，漏极电流-栅极电压的对数曲线将表现出近似的对数线性性能。为了改进亚阈值性能，已经提出了使用铁电材料的负电容场效应晶体管(NCFET)。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供一种半导体器件，包括：第一电位供应线，用于提供第一电位；第二电位供应线，用于提供比所述第一电位低的第二电位；功能电路；以及开关，设置在所述第一电位供应线和所述功能电路之间，其中：所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和负电容器，其中，所述负电容器示出负电容并具有第一端子和第二端子，以及所述第一端子电连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。根据本专利技术的另一个实施例，提供一种半导体器件，包括：第一电位供应线，用于提供第一电位；第二电位供应线，用于提供比所述第一电位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：第一电位供应线，用于提供第一电位；第二电位供应线，用于提供比所述第一电位低的第二电位；功能电路；以及开关，设置在所述第一电位供应线和所述功能电路之间，其中：所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和负电容器，其中，所述负电容器示出负电容并具有第一端子和第二端子，以及所述第一端子电连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。

【技术特征摘要】
2017.09.18 US 15/707,5771.一种半导体器件，包括：第一电位供应线，用于提供第一电位；第二电位供应线，用于提供比所述第一电位低的第二电位；功能电路；以及开关，设置在所述第一电位供应线和所述功能电路之间，其中：所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和负电容器，其中，所述负电容器示出负电容并具有第一端子和第二端子，以及所述第一端子电连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述负电容器的第一端子是所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电极。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述负电容器还包括设置在所述第一端子和所述第二端子之间的电容器介电层，以及所述电容器介电层是铁电材料，其中，所述铁电材料包括从由ZrO2、ZrAlSiO、HfO2、HfZrO2、掺杂有Zr的HfO2、掺杂有Al的HfO2和掺杂有Si的HfO2构成的组中选择的一种或多种。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电容器介电层的厚度在从1.0nm至10nm的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功能电路包括逻辑电路。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功能电路包括存储器。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述功能电路包括内部电位供应线，所述功能电路的多个金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接至所述内部电位供应线，以及所述开关的金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接至所述内部电位供应线，并且所述开关的金属氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建兴，张智胜，威尔曼·蔡，张家文，叶凌彦，卡洛斯·H·迪亚兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71