具有集成分压和偏置的射频开关设备制造技术

本公开提供一种具有集成分压和偏置的射频开关设备，所述射频开关设备包括第一串联开关电路、第一分压‑偏置电路和第一分压‑阻抗电路。第一串联开关电路包括：第一串联开关，设置在第一端子和第二端子之间并且响应于第一栅极信号操作；第一电容器电路和第二电容器电路，连接在第一串联开关两端。第一分压‑偏置电路设置在第一连接节点和地之间并且响应于第二栅极信号向第一连接节点提供电源电压或者接地电势，第一连接节点在第一端子和第一串联开关之间。第一分压‑阻抗电路连接在第一连接节点和第一分压‑偏置电路之间并且响应于第三栅极信号调整路径阻抗。第一电容器电路和第二电容器电路中的每个流过交流信号或者阻断直流电压。

【技术实现步骤摘要】
具有集成分压和偏置的射频开关设备本申请要求于2017年8月4日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0099144号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种具有集成分压和偏置的射频开关。
技术介绍
通常，诸如蜂窝前端模块(FEM)的通信设备可根据支持通信和频带所需的组件的组合被分为功率放大模块(PAM)、多模多频带功率放大器(MMPA)、包括双工器的功率放大器模块(PAMiD)等。作为示例，PAMiD可包括多个功率放大器、用于控制多个功率放大器的控制器、用于选择发送(Tx)和接收(Rx)并且确定每个频率信号的路径的射频(RF)开关以及双工器。近来，PAMiD模块可设置有诸如低噪声放大器(LNA)的组件以被制造为L-PAMiD类型的模块。通过包括最大输出、效率、线性度、灵敏度等的各种标准来评价这样的PAMiD模块的性能基准。这样的性能测量主要取决于组件本身的性能以及诸如模块中的各个组件之间的布局和阻抗匹配的状态。功率放大器(PA)模块中的最大输出、效率、线性度会受到诸如RF开关和双工器的各个组件的损耗、线性度性能等以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频开关设备，所述射频开关设备包括：第一串联开关电路，包括：第一串联开关，所述第一串联开关设置在第一端子和第二端子之间并且响应于第一栅极信号进行操作；第一电容器电路和第二电容器电路，连接在所述第一串联开关的两端；第一分压‑偏置电路，被配置为设置在第一连接节点和地之间并且响应于第二栅极信号向所述第一连接节点提供电源电压或者接地电势，所述第一连接节点在所述第一端子和所述第一串联开关之间；及第一分压‑阻抗电路，被配置为连接在所述第一连接节点和所述第一分压‑偏置电路之间并且响应于第三栅极信号调整路径阻抗，其中，所述第一电容器电路和所述第二电容器电路中的每个被配置为：响应于所述第一栅极信号，在所...

【技术特征摘要】
2017.08.04 KR 10-2017-00991441.一种射频开关设备，所述射频开关设备包括：第一串联开关电路，包括：第一串联开关，所述第一串联开关设置在第一端子和第二端子之间并且响应于第一栅极信号进行操作；第一电容器电路和第二电容器电路，连接在所述第一串联开关的两端；第一分压-偏置电路，被配置为设置在第一连接节点和地之间并且响应于第二栅极信号向所述第一连接节点提供电源电压或者接地电势，所述第一连接节点在所述第一端子和所述第一串联开关之间；及第一分压-阻抗电路，被配置为连接在所述第一连接节点和所述第一分压-偏置电路之间并且响应于第三栅极信号调整路径阻抗，其中，所述第一电容器电路和所述第二电容器电路中的每个被配置为：响应于所述第一栅极信号，在所述第一串联开关接通时流过交流信号并且在所述第一串联开关断开时阻断直流电压。2.根据权利要求1所述射频开关设备，其中，所述第一串联开关包括连接在所述第一电容器电路和所述第二电容器电路之间的至少一个金属氧化物半导体晶体管，并且所述第一串联开关被配置为响应于所述第一栅极信号而接通或者断开。3.根据权利要求1所述的射频开关设备，其中，所述第一电容器电路包括第一电容器和第一并联金属氧化物半导体晶体管，所述第一电容器和所述第一并联金属氧化物半导体晶体管连接在所述第一端子和所述第一串联开关之间并且彼此并联连接，并且所述第一并联金属氧化物半导体晶体管被配置为响应于所述第一栅极信号而接通或者断开。4.根据权利要求1所述的射频开关设备，其中，所述第二电容器电路包括第二电容器和第二并联金属氧化物半导体晶体管，所述第二电容器和所述第二并联金属氧化物半导体晶体管连接在所述第二端子和所述第一串联开关之间并且彼此并联连接，并且所述第二并联金属氧化物半导体晶体管被配置为响应于所述第一栅极信号而接通或者断开。5.根据权利要求1所述的射频开关设备，其中，所述第一分压-偏置电路包括：第一N沟道金属氧化物半导体晶体管，被配置为连接在所述第一分压-阻抗电路和接地端子之间并且响应于所述第二栅极信号而接通或者断开；第一P沟道金属氧化物半导体晶体管，被配置为连接在所述第一分压-阻抗电路和电源电压端子之间并且响应于所述第二栅极信号而接通或者断开；及第一分压-电容器，被配置为连接在所述电源电压端子和所述接地端子之间，并且其中，所述电源电压和所述接地电势中的一者被配置为响应于所述第二栅极信号而通过所述第一分压-阻抗电路供应到所述第一连接节点。6.根据权利要求1所述的射频开关设备，其中，所述第一分压-阻抗电路包括第一电阻器和第一电阻器开关，所述第一电阻器和所述第一电阻器开关连接在所述第一连接节点和所述第一分压-偏置电路之间并且彼此并联连接；并且所述第一电阻器开关被配置为响应于所述第三栅极信号而接通或者断开。7.一种射频开关设备，所述射频开关设备包括：第一串联开关电路，包括：第一串联开关，所述第一串联开关设置在第一端子和公共端子之间并且响应于第一栅极信号进行操作；及第一电容器电路和第二电容器电路，连接在所述第一串联开关的两端；第一分压-偏置电路，被配置为设置在第一连接节点和地之间并且响应于第二栅极信号向所述第一连接节点提供电源电压或者接地电势，所述第一连接节点在所述第一端子和所述第一串联开关之间；第一分压-阻抗电路，被配置为连接在所述第一连接节点和所述第一分压-偏置电路之间，并且响应于第三栅极信号调整路径阻抗；第二串联开关电路，包括：第二串联开关，设置在第二端子和所述公共端子之间并且响应于第四栅极信号进行操作；及第三电容器电路和第四电容器电路，连接在所述第二串联开关的两端；第二分压-偏置电路，被配置为设置在第二连接节点和所述地之间并且响应于第五栅极信号向所述第二连接节点提供所述电源电压或者所述接地电势，所述第二连接节点在所述第二端子和所述第二串联开关之间；及第二分压-阻抗电路，被配置为连接在所述第二连接节点和所述第二分压-偏置电路之间并且响应于第六栅极信号调整所述路径阻抗；其中，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正勋，白铉，赵炳学，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR