晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，其正面被密封材料密封，在密封材料的芯片区域内分别形成有多个凸块，该晶片的加工方法具有如下工序：对准工序，从晶片的正面侧通过可见光拍摄构件透过密封材料来检测器件晶片的对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；和分割工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具对该晶片进行切削，将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及WL-CSP晶片的加工方法。
技术介绍
WL-CSP(Wafer-levelChipSizePackage：晶圆级芯片尺寸封装)晶片是指在晶片的状态下形成重布线层或电极(金属柱)之后对正面侧进行树脂密封并利用切削刀具等分割成各封装的技术，对晶片进行单片化而得的封装的大小是半导体器件芯片的大小，因此从小型化和轻量化的观点出发也被广泛采用。在WL-CSP晶片的制造工艺中，在形成有多个器件的器件晶片的器件面侧形成重布线层，接着隔着重布线层形成与器件中的电极连接的金属柱，之后利用树脂将金属柱和器件密封。接着，在对密封材料进行薄化并且使金属柱在密封材料正面露出之后，在金属柱的端面形成被称为电极凸块的外部端子。之后，利用切削装置等对WL-CSP晶片进行切削而分割成各个CSP。为了保护半导体器件免受冲击或湿气等，利用密封材料进行密封是很重要的。通常，作为密封材料，使用向环氧树脂中混入了由SiC构成的填料而得的密封材料，从而使密封材料的热膨胀率接近半导体器件芯片的热膨胀率，防止了因热膨胀率之差而产生的加热时的封装破损。通常使用切削装置将WL-CSP晶片分割成各个CSP。在该情况下，由于WL-CSP晶片的被用于检测分割预定线的器件被树脂覆盖，所以无法从正面侧检测器件的目标图案。为此，将形成在WL-CSP晶片的树脂上的电极凸块作为目标来推断分割预定线，或者在树脂的上表面上印刷对准用的目标等而进行分割预定线与切削刀具的对准。然而，由于电极凸块或印刷在树脂上的目标不像器件那样高精度地形成，所以作为对准用的目标，存在精度较低的问题。因此，在根据电极凸块或印刷的目标来推断分割预定线的情况下，有可能与分割预定线偏离地对器件部分进行切削。因此，例如在日本特开2013-74021号公报中，提出了以在晶片外周露出的器件晶片的图案为基准来进行对准的方法。专利文献1：日本特开2013-074021号公报专利文献2：日本特开2016-015438号公报然而，在晶片的外周通常器件精度较差，当以在晶片的外周露出的图案为基准实施对准时，有可能在与分割预定线分开的位置对晶片进行分割，而且因晶片的不同还存在器件晶片的图案未在外周露出的情况。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供能够透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序的晶片的加工方法。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，该器件晶片的正面被密封材料密封，在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：对准工序，从该晶片的正面侧通过可见光拍摄构件透过该密封材料来检测器件晶片的对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；以及分割工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具对该晶片进行切削，将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对该可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施该对准工序。根据本专利技术的晶片的加工方法，一边利用倾斜光构件斜着照射光，一边通过可见光拍摄构件透过密封材料来检测形成于器件晶片的对准标记，能够根据对准标记来实施对准，因此能够简单地实施对准工序，无需如以往那样将晶片的正面的外周部分的密封材料去除。因此，从晶片的正面侧通过切削刀具对分割预定线进行切削，从而能够将晶片分割成上表面被密封材料密封的各个器件芯片。附图说明图1的(A)是WL-CSP晶片的分解立体图，图1的(B)是WL-CSP晶片的立体图。图2是WL-CSP晶片的放大剖视图。图3是示出将WL-CSP晶片粘贴在外周部安装于环状框架的划片带上的情形的立体图。图4是示出对准工序的剖视图。图5的(A)是示出分割工序的剖视图，图5的(B)是示出分割工序的放大剖视图。标号说明11：器件晶片；13：分割预定线；15：器件；18：切削单元；21：金属柱；23：密封材料；24：切削刀具；25：凸块；26：可见光拍摄构件；27：WL-CSP晶片；28：倾斜光构件；29：器件芯片(CSP)。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。参照图1的(A)，示出了WL-CSP晶片27的分解立体图。图1的(B)是WL-CSP晶片27的立体图。如图1的(A)所示，在器件晶片11的正面11a上，在由形成为格子状的多条分割预定线(间隔道)13划分出的各区域内形成有LSI等器件15。预先对器件晶片(以下，有时简称为晶片)11的背面11b进行磨削而薄化至规定的厚度(100μm～200μm左右)，然后，如图2所示，在形成了与器件15中的电极17电连接的多个金属柱21之后，利用密封材料23以埋设金属柱21的方式将晶片11的正面11a侧密封。作为密封材料23，其组成按质量％包含环氧树脂或环氧树脂+酚醛树脂10.3％、二氧化硅填料8.53％、炭黑0.1～0.2％、其他成分4.2～4.3％。作为其他成分，例如，包含金属氢氧化物、三氧化锑、二氧化硅等。当利用这种组成的密封材料23来包覆晶片11的正面11a从而将晶片11的正面11a密封时，密封材料23因密封材料23中所包含的极少量的炭黑而呈黑色，因此通常很难透过密封材料23看到晶片11的正面11a。这里，向密封材料23中混入炭黑主要是为了防止器件15的静电破坏，目前在市场上还没有销售不含炭黑的密封材料。作为其他实施方式，也可以在对器件晶片11的正面11a上形成了重布线层之后，在重布线层上形成与器件15中的电极17电连接的金属柱21。接着，使用具有由单晶金刚石构成的刀具切削工具的平面切削装置(surfaceplane：平整机)或被称为砂轮机的磨削装置对密封材料23进行薄化。在对密封材料23进行了薄化之后，例如通过等离子蚀刻使金属柱21的端面露出。接着，使用公知的方法在露出的金属柱21的端面上形成锡铅合金等的金属凸块25，从而完成WL-CSP晶片27。在本实施方式的WL-CSP晶片27中，密封材料23的厚度为100μm左右。当利用切削装置对WL-CSP晶片27进行切削时，如图3所示，优选将WL-CSP晶片27粘贴在外周部被粘贴于环状框架F的作为粘合带的划片带T上。由此，WL-CSP晶片27成为借助划片带T被环状框架F支承的状态。不过，当利用切削装置对WL-CSP晶片27进行切削时，也可以采用不使用环状框架F而在WL-CSP晶片27的背面上粘贴粘合带的方式。在本专利技术的晶片的加工方法中，首先，实施如下的对准工序：从WL-CSP晶片27的正面侧通过可见光拍摄构件以透过密封材料23的方式对器件晶片11的正面11a进行拍摄，检测形成于器件晶片11的正面的至少两个目标图案等对准标记，根据这些对准标记来检测待切削的分割预定线13。参照图4对该对准工序进行详细说明。在实施对准工序之前，将晶片11的背面11b侧粘贴在外周部安装于环状框架F的划片带T上。在对准工序中，如图4所示，隔着划片带T利用切削装置的卡盘工作台10对WL-CSP晶片27进行吸引保持，使将器件晶片11的正面11a密封的密封材料23向上方露出。然后，利用夹具12对环状框架F进行夹持而固定。在对准工序中，利用可见光拍摄构件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，该器件晶片的正面被密封材料密封，在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：对准工序，从该晶片的正面侧通过可见光拍摄构件透过该密封材料来检测器件晶片的对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；以及分割工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具对该晶片进行切削，将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对该可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施该对准工序。

【技术特征摘要】
2017.09.19 JP 2017-1787221.一种晶片的加工方法，该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，该器件晶片的正面被密封材料密封，在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：对准工序，从...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木克彦，伴祐人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP