提高flash数据保持能力的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其中：在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；刻蚀形成浅沟槽隔离；沉积氧化物并填满浅沟槽；研磨氧化物并停在氮化硅层上；刻蚀去除氮化硅层至露出栅极氧化层；沉积浮栅多晶硅；研磨浮栅多晶硅至浅沟槽中氧化物露出；刻蚀浅沟槽中的氧化物；沉积ONO隔离层；沉积控制栅多晶硅；刻蚀控制栅多晶硅至露出栅极氧化层；进行氧化处理形成第二氧化层；刻蚀去除第二氧化层。本发明专利技术将浮栅底部形成的尖角在Y方向上进行圆滑处理，解决了控制栅多晶硅刻蚀后浮栅底部的尖角易产生强电场而导致flash丢失电荷的问题，弥补了现有刻蚀工艺难于得到陡直形貌的缺陷，提高了flash器件的数据保持能力。

【技术实现步骤摘要】
提高flash数据保持能力的工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，具体属于一种提高flash数据保持能力的工艺方法。
技术介绍
闪存(即FLASH)由于具有高密度、低价格和电可编辑、擦除的优点而被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。目前，闪存单元主要在65纳米技术节点进行，随着对大容量闪存的要求，利用现有技术节点，每片硅片上的芯片数量将会减少。同时，新的技术节点日益成熟，也促使闪存单元用高节点的技术进行生产。这意味着需要将闪存单元的尺寸进行缩减，按照原有结构进行的闪存单元的有源区宽度和沟道长度的缩减，都会使闪存单元的性能受到影响。现在发展的45纳米闪存单元使用自对准的有源区，将浮栅极和有源区做成同样的尺寸，从而可以降低闪存单元之间的互扰，为进一步缩减尺寸提供了可能性。对于闪存单元来说，数据保持能力是一个重要的技术指标，而闪存的可靠性则影响着产品的市场前景。闪存单元的栅极结构通常包括由第一栅氧化层(Tox)、浮栅(FG)、第二ONO层和控制栅(CG)形成的叠加结构，其中浮栅作为存储电荷的载体，其形貌对电荷的保存有一定的影响。在闪存单元的栅极形成过程中，如果刻蚀后的浮栅存在尖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，形成半导体衬底结构；第二步，在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；第三步，刻蚀形成浅沟槽隔离；第四步，在硅片表面沉积氧化物并填满所述浅沟槽；第五步，对氧化物进行研磨，并停留在氮化硅层上；第六步，刻蚀去除氮化硅层，直至露出栅极氧化层；第七步，沉积浮栅多晶硅；第八步，对浮栅多晶硅进行研磨，直至浅沟槽中氧化物露出；第九步，刻蚀浅沟槽中的部分氧化物；第十步，沉积ONO隔离层；第十一步，沉积控制栅多晶硅；第十二步，对控制栅多晶硅进行刻蚀，直至露出栅极氧化层；刻蚀后控制栅的特征尺寸大于基准尺寸；第十三步，...

【技术特征摘要】
1.一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，形成半导体衬底结构；第二步，在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；第三步，刻蚀形成浅沟槽隔离；第四步，在硅片表面沉积氧化物并填满所述浅沟槽；第五步，对氧化物进行研磨，并停留在氮化硅层上；第六步，刻蚀去除氮化硅层，直至露出栅极氧化层；第七步，沉积浮栅多晶硅；第八步，对浮栅多晶硅进行研磨，直至浅沟槽中氧化物露出；第九步，刻蚀浅沟槽中的部分氧化物；第十步，沉积ONO隔离层；第十一步，沉积控制栅多晶硅；第十二步，对控制栅多晶硅进行刻蚀，直至露出栅极氧化层；刻蚀后控制栅的特征尺寸大于基准尺寸；第十三步，进行氧化处理形成第二氧化层；第十四步，刻蚀去除第二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟林健，姬峰，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31