闪存器件及其制造方法技术

本申请公开了一种闪存器件及其制造方法，涉及存储器技术领域。其中，所述闪存器件包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此间隔开且在第一方向上延伸；以及第二隔离区，填充相邻的栅极结构之间的间隙的上部；其中，所述间隙的下部作为第一气隙。本申请可以减小字线之间的干扰。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件及其制造方法
本申请涉及存储器
，尤其涉及一种闪存器件及其制造方法。
技术介绍
随着诸如NAND存储器的闪存器件的尺寸的缩小，字线和字线之间的间距以及位线和位线之间的间距越来越小，因此，字线之间的干扰以及位线之间的干扰也越来越严重，这会对闪存器件的性能造成不利影响。因此，有必要提出一种技术方案来减小字线之间的干扰或位线之间的干扰。
技术实现思路
本申请的一个目的在于减小字线之间的干扰。本申请的另一个目的在于减小字线之间的干扰以及位线之间的干扰。根据本申请的一方面，提供了一种闪存器件，包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此间隔开且在第一方向上延伸；以及第二隔离区，填充相邻的栅极结构之间的间隙的上部；其中，所述间隙的下部作为第一气隙。在一个实施例中，所述栅极结构包括：在所述有源区上的隧穿电介质层；在所述隧穿电介质层上的浮栅；在所述浮栅上的栅间电介质层；以及在所述栅间电介质层上的控制栅。在一个实施例中，所述第二隔离区的底表面高于所述控制栅的底表面。在一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件，其特征在于，包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此间隔开且在第一方向上延伸；以及第二隔离区，填充相邻的栅极结构之间的间隙的上部；其中，所述间隙的下部作为第一气隙。

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件，其特征在于，包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此间隔开且在第一方向上延伸；以及第二隔离区，填充相邻的栅极结构之间的间隙的上部；其中，所述间隙的下部作为第一气隙。2.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述栅极结构包括：在所述有源区上的隧穿电介质层；在所述隧穿电介质层上的浮栅；在所述浮栅上的栅间电介质层；以及在所述栅间电介质层上的控制栅。3.根据权利要求2所述的闪存器件，其特征在于，所述第二隔离区的底表面高于所述控制栅的底表面。4.根据权利要求2所述的闪存器件，其特征在于，还包括：在所述控制栅上的金属硅化物。5.根据权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述第一隔离区的顶表面低于所述有源区的顶表面；所述第一隔离区、所述有源区以及所述栅极结构之间具有第二气隙。6.根据权利要求5所述的闪存器件，其特征在于，所述第一气隙和所述第二气隙连通。7.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底结构，所述基底结构包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；和在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此间隔开且在第一方向上延伸；形成包围所述栅极结构的上部的悬挂部，所述悬挂部使得相邻的栅极结构之间的间隙的开口变小；以及形成填充所述间隙的上部的第二隔离区，从而在相邻的栅极结构之间形成第一气隙。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成包围所述栅极结构的上部的悬挂部包括：沉积悬挂材料层，所述悬挂材料层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包围所述栅极结构的上部，所述第二部分形成在...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇圣棻，陈亮，韩亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31