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本申请公开了一种闪存器件及其制造方法，涉及存储器技术领域。其中，所述闪存器件包括：基底，包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区，所述第一方向不同于所述第二方向；在所述基底上的多个栅极结构，在所述第二方向上彼此...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。