3D存储器件制造技术

公开了一种3D存储器件包括：核心区域，所述核心区域具有沟道孔；辅助区域，所述辅助区域包括虚拟孔和/或沟槽；所述3D存储器件沿垂直于所述3D存储器件表面方向的底层为衬底，其中，所述沟道孔的底部具有外延层，所述虚拟孔和/或沟槽的底部具有氧化物层。本发明专利技术实施例在辅助区域的虚拟孔和/或沟槽内形成氧化物层，在核心区域的沟道孔内形成外延层，解决形成外延层带来的外延层不均匀以及电流泄漏等问题。

【技术实现步骤摘要】
3D存储器件
本专利技术涉及存储器
，特别涉及3D存储器件。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。3D存储器件包括形成存储单元的核心区域和形成外围结构的辅助区域。在3D存储器件，例如3DNAND闪存中，需要再核心区域的沟道孔底部形成外延层。在这过程中，在一些辅助区域，例如台阶区域(StairStep，SS)的虚拟孔(DummyHole)和贯穿阵列接触(ThroughArrayContact，TAC)区屏障(barrier)中的沟槽(Trench)底部也是开放的，因此会一并在例如虚拟孔(DummyHole)和沟槽底部形成外延层。在虚拟孔以及TAC屏障处的沟槽与沟道孔的直径以及高度不同，导致外延层不均匀以及电流泄漏等问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种3D存储器件，可以解决由于在辅助区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D存储器件，包括：核心区域，所述核心区域具有沟道孔；辅助区域，所述辅助区域包括虚拟孔和/或沟槽；所述3D存储器件沿垂直于所述3D存储器件表面方向的底层为衬底，其中，所述沟道孔的底部具有外延层，所述虚拟孔和/或沟槽的底部具有氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种3D存储器件，包括：核心区域，所述核心区域具有沟道孔；辅助区域，所述辅助区域包括虚拟孔和/或沟槽；所述3D存储器件沿垂直于所述3D存储器件表面方向的底层为衬底，其中，所述沟道孔的底部具有外延层，所述虚拟孔和/或沟槽的底部具有氧化物层。2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述辅助区域包括台阶区域和贯穿阵列接触区域，所述台阶区域中具有所述虚拟孔，所述贯穿阵列接触区域中具有所述沟槽。3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述沟道孔、虚拟孔以及沟槽内均具有阻挡绝缘层-电荷俘获层-隧穿绝缘层-沟道层-介电质层结构。4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，在所述虚拟孔以及所述沟槽的底部形成氧化物层时，所述沟道孔是封闭的。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42