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公开了一种3D存储器件包括：核心区域，所述核心区域具有沟道孔；辅助区域，所述辅助区域包括虚拟孔和/或沟槽；所述3D存储器件沿垂直于所述3D存储器件表面方向的底层为衬底，其中，所述沟道孔的底部具有外延层，所述虚拟孔和/或沟槽的底部具有氧化物层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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