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本发明公开了一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其中：在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；刻蚀形成浅沟槽隔离；沉积氧化物并填满浅沟槽；研磨氧化物并停在氮化硅层上；刻蚀去除氮化硅层至露出栅极氧化层；沉积浮栅多晶硅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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