包括垂直存储器件的集成电路器件制造技术

提供了一种集成电路器件，其包括：在衬底上在垂直方向上彼此重叠的多个字线、在衬底的一区域上在垂直方向上延伸穿过所述多个字线的多个沟道结构、在所述多个沟道结构上的多个位线接触垫、以及多个位线，其中所述多个位线包括在所述区域的中央区中以第一节距布置并彼此平行延伸的多个第一位线、以及在所述区域的边缘区中以第二节距布置的多个第二位线，第二节距不同于第一节距。

【技术实现步骤摘要】
包括垂直存储器件的集成电路器件
本专利技术构思涉及集成电路器件，更具体地，涉及包括非易失性垂直存储器件的集成电路器件。
技术介绍
随着信息通信设备变得越来越多功能，可以期望包括存储器件的集成电路器件的大容量和高集成。随着为了高集成的存储单元尺寸的减小，存储器件中包括的用于存储器件的操作和电连接的操作电路和布线结构正变得复杂。因此，对包括具有优秀电特性同时具有提高的集成度的存储器件的集成电路器件存在需求。
技术实现思路
本专利技术构思提供了包括具有这样结构的垂直存储器件的集成电路器件，该结构能够即使当垂直存储器件的存储单元区中堆叠的字线的数量增加时通过最小化存储单元区中的虚设沟道的数量并最大化经过存储单元区的位线的数量而抑制芯片尺寸的不期望的增大并提高集成度。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种集成电路器件，其包括：多个字线，所述多个字线在衬底上在平行于衬底的主表面的第一水平方向上延伸并在垂直方向上彼此重叠；多个沟道结构，所述多个沟道结构在衬底的一区域上在垂直方向上延伸穿过所述多个字线；多个位线接触垫，所述多个位线接触垫在所述多个沟道结构上；以及多个位线，所述多个位线在所述区域上通过所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：多个字线，所述多个字线在衬底上平行于所述衬底的主表面延伸并且在垂直方向上彼此重叠；多个沟道结构，所述多个沟道结构在所述衬底的一区域上在所述垂直方向延伸穿过所述多个字线；底上垂直延伸垫，所述多个位线接触垫在所述多个沟道结构上；以及多个位线，所述多个位线在所述区域上通过所述多个位线接触垫连接到所述多个沟道结构，其中所述多个位线包括：多个第一位线，所述多个第一位线在所述区域的中央区中以第一节距布置并且彼此平行地延伸；以及多个第二位线，所述多个第二位线在所述区域的边缘区中以第二节距布置，所述第二节距不同于所述第一节距。

【技术特征摘要】
2017.07.21 KR 10-2017-00927331.一种集成电路器件，包括：多个字线，所述多个字线在衬底上平行于所述衬底的主表面延伸并且在垂直方向上彼此重叠；多个沟道结构，所述多个沟道结构在所述衬底的一区域上在所述垂直方向延伸穿过所述多个字线；底上垂直延伸垫，所述多个位线接触垫在所述多个沟道结构上；以及多个位线，所述多个位线在所述区域上通过所述多个位线接触垫连接到所述多个沟道结构，其中所述多个位线包括：多个第一位线，所述多个第一位线在所述区域的中央区中以第一节距布置并且彼此平行地延伸；以及多个第二位线，所述多个第二位线在所述区域的边缘区中以第二节距布置，所述第二节距不同于所述第一节距。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个第一位线和所述多个第二位线线形地延伸。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一节距是恒定节距，所述第二节距是可变节距，以及其中所述多个第二位线中的相邻第二位线之间的多个分隔距离中的至少一些分隔距离随着离所述区域的所述中央区的增加的距离而增大。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一节距是恒定节距，所述第二节距是可变节距，以及其中所述多个第二位线中的相邻第二位线之间的多个分隔距离包括第一分隔距离和多个第二分隔距离，所述第一分隔距离固定为恒定而不管离所述区域的所述中央区的距离如何，所述多个第二分隔距离随着离所述区域的所述中央区的增加的距离而增大。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个沟道结构在所述区域的所述边缘区中包括非线形沟道结构，所述非线形沟道结构具有在所述垂直方向上沿非平坦表面延伸的侧壁。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个第一位线在所述中央区中线形地延伸，以及其中所述多个第二位线在所述边缘区中非线形地延伸。7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个第二位线中的至少一些第二位线在远离所述区域的所述中央区的方向上包括凸起的弯曲部分。8.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个第二位线中的至少一些第二位线在朝向所述区域的所述中央区的方向上包括凸起的弯曲部分。9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个位线接触垫包括：多个第一位线接触垫，所述多个第一位线接触垫在所述区域的所述中央区中以恒定节距布置；以及多个第二位线接触垫，所述多个第二位线接触垫在所述区域的所述边缘区中以可变节距布置。10.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：多个公共源极线，所述多个公共源极线在第一水平方向上彼此平行地延伸并且在多个字线切割区内，所述多个字线切割区限定所述多个字线在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度，其中所述多个位线在所述第二水平方向上延伸。11.一种集成电路器件，包括：多个字线，所述多个字线平行于衬底的主表面延伸并且在垂直于所述主表面的垂直方向上彼此重叠，所述衬底具有顺序布置在第一水平方向上的存储单元区和连接区；多个字线切割区，所述多个字线切割区在所述第一水平方向上延伸并且限定所述多个字线在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度；多个沟道结构，所述多个沟道结构在所述存储单元区中在所述垂直方向上延伸穿过所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑煐陈，李俊熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR