A manufacturing method of a semiconductor element includes the following steps. First, an epitaxial layer is formed on the substrate. Then, the forming body is located in the upper half of the epitaxial layer. Then, the first channel is formed in the Lei crystal layer. After that, the first dielectric layer, the second dielectric layer and the third dielectric layer are formed on the epitaxial layer in sequence. The third dielectric layer forms the second channel, and the second channel is located in the first channel. Then a shield layer is formed in the second ditch. Next, the upper half of the third dielectric layer is removed so that the upper half of the shielding layer protrudes out of the third dielectric layer. After that, a fourth dielectric layer is formed to cover the upper half of the shielding layer. Then, a gate is formed on the third dielectric layer. Finally, the source is located in the epitaxy layer around the gate. With the above structure design, the semiconductor components have higher breakdown voltage, lower on-resistance, and can effectively reduce the manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件与其制造方法
本专利技术涉及一种半导体元件与其制造方法。
技术介绍
功率半导体仍是许多电力电子系统的主要元件。在现今功率半导体的应用领域中,能源使用效率的提升、耐压能力以及降低导通电阻的表现是非常重要的能力指标,其中功率元件特性能力提升与封装寄生电性减少为两大主要改善方向。为了进一步改善功率半导体的各项特性,相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的功率半导体,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体元件与其制造方法,藉由适当的结构设计,使半导体元件具有较高的崩溃电压、较低的导通电阻。另外,利用特殊的制程(工艺)设计,将能有效降低制造成本。根据本专利技术一实施方式,一种半导体元件的制造方法包含以下步骤。首先,形成磊晶(外延)层于基板上。然后,形成体区于磊晶层的上半部分。接着,形成第一沟渠于磊晶层中。之后,依序形成第一介电层、第二介电层以及第三介电层于磊晶层上,其中第三介电层形成第二沟渠,第二沟渠位于第一沟渠中。然后,形成屏蔽层于第二沟渠中。接着,移除第三介电层的上半部分,以使屏蔽层的上半部分凸出于第三介电层。之后,形成第四介电层覆盖于屏蔽层的上半部分。然后,形成栅极于第三介电层上。最后,形成源极于位于栅极的四周的磊晶层中。于本专利技术的一或多个实施方式中,第四介电层为藉由热氧化屏蔽层而形成。于本专利技术的一或多个实施方式中,屏蔽层的顶面的高度在体区顶面的高度与底面高度之间。于本专利技术的一或多个实施方式中,形成栅极于第三介电层的步骤前,更包括移除第二介电层的上半部分。于 ...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法,其特征在于,包含:形成一磊晶层于一基板上;形成一体区于该磊晶层的上半部分;形成一第一沟渠于该磊晶层中;依序形成一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层于该磊晶层上,其中该第三介电层形成一第二沟渠,该第二沟渠位于该第一沟渠中;形成一屏蔽层于该第二沟渠中;移除该第三介电层的一上半部分,以使该屏蔽层的一上半部分凸出于该第三介电层;形成一第四介电层覆盖于该屏蔽层的该上半部分;形成一栅极于该第三介电层上;以及形成一源极于位于该栅极的四周的该磊晶层中。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法,其特征在于,包含:形成一磊晶层于一基板上;形成一体区于该磊晶层的上半部分;形成一第一沟渠于该磊晶层中;依序形成一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层于该磊晶层上,其中该第三介电层形成一第二沟渠,该第二沟渠位于该第一沟渠中;形成一屏蔽层于该第二沟渠中;移除该第三介电层的一上半部分,以使该屏蔽层的一上半部分凸出于该第三介电层;形成一第四介电层覆盖于该屏蔽层的该上半部分;形成一栅极于该第三介电层上;以及形成一源极于位于该栅极的四周的该磊晶层中。2.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法,其特征在于,该第四介电层为藉由热氧化该屏蔽层而形成。3.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法,其特征在于,该屏蔽层的顶面高度在该体区的顶面高度与底面的高度之间。4.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法,其特征在于,形成该栅极于该第三介电层的步骤前,更包括移除该第二介电层的上半部分。5.根据权利要求1所述半导体元件的制造方法,其特征在于,该第四介电层的顶面设置高度大于该磊晶层的顶面设置高度。6.一种半导体元件,其特征在于,包含:一基板;一磊晶层,位于该基板上;一体区,位于该磊晶层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:许修文,叶俊瑩,罗振达,李元铭,
申请(专利权)人:帅群微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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